公开(公告)号：CN1519901A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410001937.7

申请日：2004-01-16

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 北村英次 ,  山田悟 ,  加藤慈规 ,  齐野敢太 ,  齐藤政良 ,  饭岛晋平 ,  大汤静宪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28247

Abstract: 一种半导体器件，其在钨膜和多晶硅层之间具有降低的接触电阻和带有具有降低的栅电阻且被预防耗尽的栅电极。根据制造装置半导体器件的方法，一种半导体器件，其在形成栅电极之后且在栅电极上执行侧面选择性氧化之前，通过在氨气体中在700℃－950℃的氮化温度下氮化栅电极的侧面的方式来制造带有多金属栅结构的栅电极，其中，多金属栅结构包含带有钨(W)膜、氮化钨(WN)膜和多晶硅(PolySi)层的三层结构。