公开(公告)号：CN101887853A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010003231.X

申请日：2010-01-11

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 长义纪 ,  吉川公縻

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53228 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种低k膜的制造方法、半导体装置及其制造方法。其中，包括多孔二氧化硅膜的低介电常数膜的疏水性通过如下步骤改善：将多孔二氧化硅膜形成用原料涂布至衬底上，及进行气相转移处理以将衬底暴露于未添加水的有机胺蒸气的气氛中。同时，通过将孔径控制在预定的范围内，实现介电常数降低、漏电流降低以及机械强度改善。