公开(公告)号：CN1574248A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045757.9

申请日：2004-05-21

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 泷本俊英

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/022 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/905 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括通过下列步骤形成两层氮化硅膜作为绝缘膜：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成一层氮化硅膜；将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成另一层氮化硅膜。一层氮化硅膜的漏电流性能优越，而另一层氮化硅膜的沉积速度比一层氮化硅膜的沉积速度快，导致氮化硅膜的绝缘性能改善并使模拟膜的产量较高。

公开(公告)号：CN1551308A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410047203.2

申请日：2004-05-19

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 泷本俊英 ,  藤原秀二 ,  后久保刚 ,  广田俊幸 ,  相宗史记

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185

Abstract: 依照本发明形成绝缘膜的方法，将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，条件为化合物与含氮气体的气流比低于1/30，从而生成氮化硅膜。在本发明中，在气流比低于1/30的条件下形成氮化硅膜，从而改进了具有氮化硅膜的绝缘膜的绝缘性能，进而降低了流经该绝缘膜的漏电流。

公开(公告)号：CN100372079C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200410045757.9

申请日：2004-05-21

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 泷本俊英

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/022 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/905 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括通过下列步骤形成两层氮化硅膜作为绝缘膜：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成一层氮化硅膜；将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成另一层氮化硅膜。一层氮化硅膜的漏电流性能优越，而另一层氮化硅膜的沉积速度比一层氮化硅膜的沉积速度快，导致氮化硅膜的绝缘性能改善并使模拟膜的产量较高。