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公开(公告)号：CN1869721A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610091820.1
申请日：2006-05-29
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 小川澄男
CPC classification number: G11C29/838 , G11C11/401 , G11C29/783 , G11C2029/4402
Abstract: 通过用冗余字线置换具有缺陷地址的字线，信息保持在字线和冗余字线之间的关系中。换言之，信息保持在置换规则中。使用这种布置，诸如批号、所述批量之内的晶片号以及所述晶片之内的芯片位置之类的信息能够保持在芯片中，而根本不会增加芯片面积，并且不使用大数据库。
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公开(公告)号：CN101425341B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200810173861.4
申请日：2008-10-29
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Abstract: 本发明提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入缺陷地址的方法。根据本发明的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，即使当各自不同的缺陷地址被写入到多个芯片时，可以在非常短的时间段完成对锁存电路的写过程。由此，可以对芯片并行地执行对反熔丝元件的写入的实际过程，结果，可以以高速执行对反熔丝元件的写入过程。
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公开(公告)号：CN101232001A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810003260.9
申请日：2008-01-28
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 小川澄男
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5258 , G11C17/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括通过照射激光束能断开的多个熔丝元件，和如二维地观察到的在多个熔丝元件之间设置的并能削弱激光束的衰减构件。每个衰减构件包括多个柱状体。用这种布置，包括多个熔丝单元的衰减构件会吸收从被断开的熔丝元件泄漏到半导体衬底侧的激光束。还通过菲涅耳衍射使激光束散射。因此，柱状体能有效地削弱激光束，通过吸收过多能量在绝缘膜中不会产生破裂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101425341A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810173861.4
申请日：2008-10-29
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Abstract: 本发明提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入缺陷地址的方法。根据本发明的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，即使当各自不同的缺陷地址被写入到多个芯片时，可以在非常短的时间段完成对锁存电路的写过程。由此，可以对芯片并行地执行对反熔丝元件的写入的实际过程，结果，可以以高速执行对反熔丝元件的写入过程。
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公开(公告)号：CN1823392A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020476.6
申请日：2004-07-13
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/808
Abstract: 在具有冗余电路的半导体存储器件中，该冗余电路用于处理缺陷存储单元的修复，被不均匀分布的存储单元缺陷能够被有效地修复。该半导体存储器件具有多个存储块，该存储块包括多个段。用于替代段的缺陷数据的冗余存储块被物理地提供给每个存储块。冗余存储块的块地址被逻辑地共同分配给多个存储块。
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公开(公告)号：CN102903390A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210345388.X
申请日：2008-10-29
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: G11C17/18 , G11C17/165 , G11C29/785 , G11C2029/4402
Abstract: 本发明提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入地址的方法。根据本发明的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，即使当各自不同的缺陷地址被写入到多个芯片时，可以在非常短的时间段完成对锁存电路的写过程。由此，可以对芯片并行地执行对反熔丝元件的写入的实际过程，结果，可以以高速执行对反熔丝元件的写入过程。
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公开(公告)号：CN1869721B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610091820.1
申请日：2006-05-29
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 小川澄男
CPC classification number: G11C29/838 , G11C11/401 , G11C29/783 , G11C2029/4402
Abstract: 通过用冗余字线置换具有缺陷地址的字线，信息保持在字线和冗余字线之间的关系中。换言之，信息保持在置换规则中。使用这种布置，诸如批号、所述批量之内的晶片号以及所述晶片之内的芯片位置之类的信息能够保持在芯片中，而根本不会增加芯片面积，并且不使用大数据库。
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公开(公告)号：CN100463103C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510127099.2
申请日：2001-03-27
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L22/20 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体器件生产系统，可不去除封装树脂就读出芯片的位置信息，从而迅速识别故障成因和提高芯片的产量。替换地址读取装置(41)从被测试为有故障的半导体器件中读取冗余地址。芯片位置分析装置(42)从冗余地址组合中估计有故障的半导体器件的批号、晶片号和芯片号。故障分布映射装置(32)根据得到的数据映射故障芯片在批次的各晶片中的分布。故障成因确定装置(34)根据该分布识别哪个生产装置或工艺步骤造成了故障。
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