公开(公告)号：CN1551328A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410002445.X

申请日：2004-01-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 久保田大志 ,  北村义裕 ,  大桥拓夫 ,  樱井进 ,  神田隆行 ,  堀部晋一

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供了一种具有槽的半导体设备的制造方法，以在槽的拐角部分形成氧化膜，该氧化膜比其它部分厚度大且应力小。当形成于半导体衬底中的槽被氧化时，它在含有预定重量百分比的二氯乙烯的氧气气氛中被氧化，以使得形成在槽的拐角部分比其它部分的厚度更大的氧化膜，从而可以得到提高绝缘击穿特性的半导体设备。

公开(公告)号：CN100559564C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200410036958.2

申请日：1999-12-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 铃木范夫 ,  壹添宏之 ,  児岛雅之 ,  冈本圭司 ,  堀部晋一 ,  渡部浩三 ,  吉田安子 ,  池田修二 ,  高松朗 ,  石塚典男 ,  荻岛淳史 ,  下田真岐

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 一种制造集成电路的方法，它包含下列步骤：以氮化硅(14)和侧壁间隔(16)作为掩模，利用干法腐蚀方法，在衬底(1)的隔离区中制作沟槽(2a)；从氮化硅(14)清除侧壁间隔(16)；以及借助于对衬底(1)进行热氧化而处理有源区周边的衬底(1)的表面，使其剖面具有圆度。

公开(公告)号：CN100401498C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410002445.X

申请日：2004-01-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 久保田大志 ,  北村义裕 ,  大桥拓夫 ,  樱井进 ,  神田隆行 ,  堀部晋一

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供了一种具有槽的半导体设备的制造方法，以在槽的拐角部分形成氧化膜，该氧化膜比其它部分厚度大且应力小。当形成于半导体衬底中的槽被氧化时，它在含有预定重量百分比的二氯乙烯的氧气气氛中被氧化，以使得形成在槽的拐角部分比其它部分的厚度更大的氧化膜，从而可以得到提高绝缘击穿特性的半导体设备。