公开(公告)号：CN100401498C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410002445.X

申请日：2004-01-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 久保田大志 ,  北村义裕 ,  大桥拓夫 ,  樱井进 ,  神田隆行 ,  堀部晋一

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供了一种具有槽的半导体设备的制造方法，以在槽的拐角部分形成氧化膜，该氧化膜比其它部分厚度大且应力小。当形成于半导体衬底中的槽被氧化时，它在含有预定重量百分比的二氯乙烯的氧气气氛中被氧化，以使得形成在槽的拐角部分比其它部分的厚度更大的氧化膜，从而可以得到提高绝缘击穿特性的半导体设备。

公开(公告)号：CN1684242A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064979.X

申请日：2005-04-13

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大桥拓夫 ,  诹访刚 ,  久保田大志

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/316 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28238

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在硅衬底上形成沟槽用于器件隔离；以及在从生长掩埋氧化膜之后直至生长栅多晶硅的期间的任一步骤中，在包含稀有气体的气氛中对硅衬底进行退火。

公开(公告)号：CN1551328A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410002445.X

申请日：2004-01-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 久保田大志 ,  北村义裕 ,  大桥拓夫 ,  樱井进 ,  神田隆行 ,  堀部晋一

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供了一种具有槽的半导体设备的制造方法，以在槽的拐角部分形成氧化膜，该氧化膜比其它部分厚度大且应力小。当形成于半导体衬底中的槽被氧化时，它在含有预定重量百分比的二氯乙烯的氧气气氛中被氧化，以使得形成在槽的拐角部分比其它部分的厚度更大的氧化膜，从而可以得到提高绝缘击穿特性的半导体设备。