公开(公告)号：CN1551328A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410002445.X

申请日：2004-01-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 久保田大志 ,  北村义裕 ,  大桥拓夫 ,  樱井进 ,  神田隆行 ,  堀部晋一

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供了一种具有槽的半导体设备的制造方法，以在槽的拐角部分形成氧化膜，该氧化膜比其它部分厚度大且应力小。当形成于半导体衬底中的槽被氧化时，它在含有预定重量百分比的二氯乙烯的氧气气氛中被氧化，以使得形成在槽的拐角部分比其它部分的厚度更大的氧化膜，从而可以得到提高绝缘击穿特性的半导体设备。

公开(公告)号：CN100401498C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410002445.X

申请日：2004-01-20

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 久保田大志 ,  北村义裕 ,  大桥拓夫 ,  樱井进 ,  神田隆行 ,  堀部晋一

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 提供了一种具有槽的半导体设备的制造方法，以在槽的拐角部分形成氧化膜，该氧化膜比其它部分厚度大且应力小。当形成于半导体衬底中的槽被氧化时，它在含有预定重量百分比的二氯乙烯的氧气气氛中被氧化，以使得形成在槽的拐角部分比其它部分的厚度更大的氧化膜，从而可以得到提高绝缘击穿特性的半导体设备。