公开(公告)号：CN100559564C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200410036958.2

申请日：1999-12-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 铃木范夫 ,  壹添宏之 ,  児岛雅之 ,  冈本圭司 ,  堀部晋一 ,  渡部浩三 ,  吉田安子 ,  池田修二 ,  高松朗 ,  石塚典男 ,  荻岛淳史 ,  下田真岐

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 一种制造集成电路的方法，它包含下列步骤：以氮化硅(14)和侧壁间隔(16)作为掩模，利用干法腐蚀方法，在衬底(1)的隔离区中制作沟槽(2a)；从氮化硅(14)清除侧壁间隔(16)；以及借助于对衬底(1)进行热氧化而处理有源区周边的衬底(1)的表面，使其剖面具有圆度。

公开(公告)号：CN1941374A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610142020.8

申请日：2006-09-30

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 荻岛淳史

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L23/525 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/112 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11286

Abstract: 一种半导体器件包括具有扩散层的半导体衬底。在半导体衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成熔丝的熔丝部。在熔丝部和绝缘膜上形成夹层绝缘膜，并在夹层绝缘膜上形成和熔丝部相对应的天线部。