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1.

发明公开
半导体器件的制造方法无效

公开(公告)号：CN1684242A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064979.X

申请日：2005-04-13

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大桥拓夫 , 诹访刚 , 久保田大志

IPC: H01L21/76 , H01L21/316 , H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/28185 , H01L21/28238

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在硅衬底上形成沟槽用于器件隔离；以及在从生长掩埋氧化膜之后直至生长栅多晶硅的期间的任一步骤中，在包含稀有气体的气氛中对硅衬底进行退火。

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