公开(公告)号：CN1303698C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN02145800.6

申请日：2002-10-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉山剛一 ,  鹰尾義弘 ,  菅谷慎二 ,  松永大辅 ,  和田贵幸 ,  藤田徹 ,  小倉辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：隔着栅绝缘膜形成在第一导电型的半导体基片上的栅极；绝缘离子注入控制膜，其由不同材料所制成并且按次序形成在栅极的两侧表面上的的第一绝缘膜和第二绝缘膜所形成，以及该第一绝缘膜和第二绝缘膜具有在栅极的半导体基片两侧之间高于该栅绝缘膜的间隔；形成在半导体基片中的栅极两侧上作为源极/漏极的一个第二导电型的第一和第二杂质扩散层；形成在半导体基片中的该第二导电型的第一和第二杂质扩散层之间并且在栅极下方的第一导电型的沟道区；以及第一导电型的第一和第二袋状区，其具有比在该沟道区下方的半导体基片中连接到第二导电型的第一和第二杂质扩散层的各个端部的沟道区更高的第一导电型的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1411076A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02145800.6

申请日：2002-10-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉山剛一 ,  鹰尾義弘 ,  菅谷慎二 ,  松永大辅 ,  和田贵幸 ,  藤田徹 ,  小倉辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6656 ,  Y10S257/90

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：隔着栅绝缘膜形成在第一导电型的半导体基片上的栅极；绝缘离子注入控制膜，其由不同材料所制成并且按次序形成在栅极的两侧表面上的的第一绝缘膜和第二绝缘膜所形成，以及该第一绝缘膜和第二绝缘膜具有在栅极的半导体基片两侧之间高于该栅绝缘膜的间隔；形成在半导体基片中的栅极两侧上作为源极/漏极的一个第二导电型的第一和第二杂质扩散层；形成在半导体基片中的该第二导电型的第一和第二杂质扩散层之间并且在栅极下方的第一导电型的沟道区；以及第一导电型的第一和第二袋状区，其具有比在该沟道区下方的半导体基片中连接到第二导电型的第一和第二杂质扩散层的各个端部的沟道区更高的第一导电型的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1282243C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02151390.2

申请日：2002-11-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 各務克巳 ,  鹰尾義弘

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有p沟道MOS晶体管的半导体器件，其中包括：含氮的氧化硅的栅绝缘膜；含硼的硅的栅极；在栅极的侧壁上包含氧化硅的侧壁衬垫；具有平面化表面的层间绝缘膜；形成在层间绝缘膜中的布线沟槽的接触通孔；包括下层阻挡层和上层铜区并且填充在该布线沟槽中的铜布线图案；以及覆盖铜布线图案的碳化硅层。该半导体器件具有能够抑制NBTI恶化的晶体管结构。

公开(公告)号：CN1449034A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02151390.2

申请日：2002-11-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 各務克巳 ,  鹰尾義弘

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有p沟道MOS晶体管的半导体器件，其中包括：含氮的氧化硅的栅绝缘膜；含硼的硅的栅极；在栅极的侧壁上包含氧化硅的侧壁衬垫；具有平面化表面的层间绝缘膜；形成在层间绝缘膜中的布线沟槽的接触通孔；包括下层阻挡层和上层铜区并且填充在该布线沟槽中的铜布线图案；以及覆盖铜布线图案的碳化硅层。该半导体器件具有能够抑制NBTI恶化的晶体管结构。