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公开(公告)号:CN1087765C
公开(公告)日:2002-07-17
申请号:CN97117849.6
申请日:1997-06-26
Applicant: 富士通株式会社 , 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C01G45/02 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , C01P2006/90 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3,Mn3O4及其混合物的组分。此外,还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号:CN1921083A
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:CN200510133849.7
申请日:2005-12-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76232
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法,包含如下步骤:在硅衬底10上形成由氧化硅膜12和氮化硅膜14构成的硬掩模20,其中氮化硅膜14的宽度小于氧化硅膜12的宽度;使用硬掩模20作为掩模蚀刻硅衬底10,以在硅衬底10中形成用于限定有源区24的沟槽26;以及在形成有沟槽26的硅衬底10上形成氧化硅膜28。
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公开(公告)号:CN1176282A
公开(公告)日:1998-03-18
申请号:CN97117849.6
申请日:1997-06-26
Applicant: 富士通株式会社 , 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K3/14 , C25C1/06 , C25B11/16 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C01G45/02 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , C01P2006/90 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3,Mn3O4及其混合物的组分。此外,还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。
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