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公开(公告)号：CN100394477C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510097112.4
申请日：2005-12-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/313 , H01F10/16 , H01F10/3231
Abstract: 本发明提供一种具有大于或等于2.46特斯拉的高饱和磁化强度的磁性材料。通过在记录头中使用这种磁性材料，可以在记录介质上以更高的密度来记录信息。该磁性材料还可以应用于各种固态器件。一种用于磁性器件的磁性膜由交替层叠铁磁性膜和钯膜或者含钯合金膜的多层膜构成。层叠的钯膜或者含钯合金膜的主要晶体结构是体心立方结构，而且所述多层膜通过干法工艺来形成。
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公开(公告)号：CN1271600C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN99816724.X
申请日：1999-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种自旋阀磁电阻效应磁头，其中自由磁层的端部对外磁场不灵敏，从而提高了灵敏度。自旋阀磁电阻效应磁头具有多层结构，包括至少在端侧的第一反铁磁层，软磁层，反平行耦合中间层和第一自由磁层。
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公开(公告)号：CN1164088A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97103102.9
申请日：1997-02-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 此发明涉及到磁阻变换器、形成磁膜的方法和磁记录/重放驱动器，更具体地说，它涉及到一种磁阻变换器，借助自旋阀磁致电阻，把磁记录介质中信号磁场的变化转换成电阻率的变化，以及形成磁膜的方法和磁记录驱动器。
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公开(公告)号：CN1352791A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN99816769.X
申请日：1999-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种使用硬铁磁层的自旋阀磁阻磁头和使用所述磁头的磁记录介质驱动装置。所述自旋阀磁阻磁头包括至少一自由磁层,一非磁的金属层,一被钉扎磁层,一反平行的耦合中间层和一硬铁磁层,其中所述被钉扎磁层的磁方向和所述硬铁磁层的磁方向通过所述反平行耦合中间层作到基本上反平行。所述磁记录介质驱动装置使用这种磁头。
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公开(公告)号：CN1226054A
公开(公告)日：1999-08-18
申请号：CN99101788.9
申请日：1999-02-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B5/40 , G11B5/455 , G11B5/465 , G11B5/54 , G11B33/14 , G11B2005/0008 , G11B2005/0018 , G11B2005/3996
Abstract: 当引线层磁场偏移判断单元判断读出电流以干扰方向流过的自旋开关磁头的引线层中的磁场已偏离正常方向时,恢复处理单元恢复磁场偏移产生的异常。例如,把读出电流的方向从干扰方向切换到辅助方向,并使比正常读操作时大的读出电流流动,以使反铁磁层的温度超过阻挡温度,以此有读出电流产生的磁场作用将引线层中的磁场方向改变到正常方向。改变后,读出电流返回其在干扰方向的正常值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1212418A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98104446.8
申请日：1998-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种制造旋转阀式GMR头的方法,该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面,该方法包含的步骤有:形成一磁膜,其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层;在磁场中对其进行第一热处理,增强自由磁化层的磁异向性;在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理,固定在固定磁化层中的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1138256C
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN99101788.9
申请日：1999-02-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B5/40 , G11B5/455 , G11B5/465 , G11B5/54 , G11B33/14 , G11B2005/0008 , G11B2005/0018 , G11B2005/3996
Abstract: 当钉扎层磁场偏移判断单元判断读出电流以干扰方向流过的自旋开关磁头的钉扎层中的磁场已偏离正常方向时，恢复处理单元恢复磁场偏移产生的异常。例如，把读出电流的方向从干扰方向切换到辅助方向，并使比正常读操作时大的读出电流流动，以使反铁磁层的温度超过阻挡温度，以此有读出电流产生的磁场作用将钉扎层中的磁场方向改变到正常方向。改变后，读出电流返回其在干扰方向的正常值。
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公开(公告)号：CN1268733A
公开(公告)日：2000-10-04
申请号：CN00101159.6
申请日：2000-01-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/00
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , Y10T29/49034
Abstract: 一种旋转阀磁阻传感器,包括:自由层(2);被栓接层(4),提供在自由层(2)上;及栓接层(5),提供在被栓接层(4)上。被栓接层(4)包括:铁磁性材料的第一被栓接层(4c);铁磁性材料的第二被栓接层(4a),提供在第一被栓接层(4c)上;及中间层(4b),插入在第一与第二被栓接层(4c、4a)之间,从而第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用。第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩。
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公开(公告)号：CN1213816A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98119406.0
申请日：1998-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 一种旋转阀型磁阻头包括:一被锁定铁磁层,一非磁性中间层和一自由铁磁层。该磁阻头进一步包括用来控制自由铁磁化的偏压控制铁磁层。偏压控制层是由从NiFe、CoFe和FeN中选出的一种材料与从B、Rh、Cr和Zr中选出的至少一种添加剂构成。
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