公开(公告)号：CN1226054A

公开(公告)日：1999-08-18

申请号：CN99101788.9

申请日：1999-02-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 富田勇 ,  越川誉生 ,  星野敏规 ,  中村直 ,  金井均 ,  上野博秋

IPC: G11B5/09 ,  G11B5/29

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  G11B5/455 ,  G11B5/465 ,  G11B5/54 ,  G11B33/14 ,  G11B2005/0008 ,  G11B2005/0018 ,  G11B2005/3996

Abstract: 当引线层磁场偏移判断单元判断读出电流以干扰方向流过的自旋开关磁头的引线层中的磁场已偏离正常方向时,恢复处理单元恢复磁场偏移产生的异常。例如,把读出电流的方向从干扰方向切换到辅助方向,并使比正常读操作时大的读出电流流动,以使反铁磁层的温度超过阻挡温度,以此有读出电流产生的磁场作用将引线层中的磁场方向改变到正常方向。改变后,读出电流返回其在干扰方向的正常值。

公开(公告)号：CN1138256C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN99101788.9

申请日：1999-02-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 富田勇 ,  越川誉生 ,  星野敏规 ,  中村直 ,  金井均 ,  上野博秋

IPC: G11B5/09 ,  G11B5/29

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  G11B5/455 ,  G11B5/465 ,  G11B5/54 ,  G11B33/14 ,  G11B2005/0008 ,  G11B2005/0018 ,  G11B2005/3996

Abstract: 当钉扎层磁场偏移判断单元判断读出电流以干扰方向流过的自旋开关磁头的钉扎层中的磁场已偏离正常方向时，恢复处理单元恢复磁场偏移产生的异常。例如，把读出电流的方向从干扰方向切换到辅助方向，并使比正常读操作时大的读出电流流动，以使反铁磁层的温度超过阻挡温度，以此有读出电流产生的磁场作用将钉扎层中的磁场方向改变到正常方向。改变后，读出电流返回其在干扰方向的正常值。