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公开(公告)号：CN1268733A
公开(公告)日：2000-10-04
申请号：CN00101159.6
申请日：2000-01-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/00
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , Y10T29/49034
Abstract: 一种旋转阀磁阻传感器,包括:自由层(2);被栓接层(4),提供在自由层(2)上;及栓接层(5),提供在被栓接层(4)上。被栓接层(4)包括:铁磁性材料的第一被栓接层(4c);铁磁性材料的第二被栓接层(4a),提供在第一被栓接层(4c)上;及中间层(4b),插入在第一与第二被栓接层(4c、4a)之间,从而第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用。第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩。
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公开(公告)号：CN1271600C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN99816724.X
申请日：1999-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种自旋阀磁电阻效应磁头，其中自由磁层的端部对外磁场不灵敏，从而提高了灵敏度。自旋阀磁电阻效应磁头具有多层结构，包括至少在端侧的第一反铁磁层，软磁层，反平行耦合中间层和第一自由磁层。
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公开(公告)号：CN1164088A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97103102.9
申请日：1997-02-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 此发明涉及到磁阻变换器、形成磁膜的方法和磁记录/重放驱动器，更具体地说，它涉及到一种磁阻变换器，借助自旋阀磁致电阻，把磁记录介质中信号磁场的变化转换成电阻率的变化，以及形成磁膜的方法和磁记录驱动器。
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公开(公告)号：CN1835083A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510077423.4
申请日：2005-06-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3146 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/265
Abstract: 软磁薄膜以及薄膜磁头。该软磁薄膜具有优良的软磁特性并适合薄膜磁头。本发明的软磁薄膜包括：包含铁磁元素的磁性基层；和堆叠在该磁性基层上的铁磁层。该软磁薄膜具有单轴磁畴各向异性。该磁性基层包括选自铁、镍和钴的至少一种元素作为铁磁元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1352791A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN99816769.X
申请日：1999-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种使用硬铁磁层的自旋阀磁阻磁头和使用所述磁头的磁记录介质驱动装置。所述自旋阀磁阻磁头包括至少一自由磁层,一非磁的金属层,一被钉扎磁层,一反平行的耦合中间层和一硬铁磁层,其中所述被钉扎磁层的磁方向和所述硬铁磁层的磁方向通过所述反平行耦合中间层作到基本上反平行。所述磁记录介质驱动装置使用这种磁头。
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公开(公告)号：CN1212418A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98104446.8
申请日：1998-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种制造旋转阀式GMR头的方法,该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面,该方法包含的步骤有:形成一磁膜,其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层;在磁场中对其进行第一热处理,增强自由磁化层的磁异向性;在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理,固定在固定磁化层中的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1095154C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN98104446.8
申请日：1998-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种制造自旋阀式GMR头的方法，该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面，该方法包含的步骤有：形成一磁膜，其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层；在磁场中对其进行第一热处理，增强自由磁化层的磁异向性；在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理，固定在固定磁化层中的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1352789A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN99816724.X
申请日：1999-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种自旋阀磁阻效应磁头,其中自由磁层的端部对外磁场不灵敏,从而提高了灵敏度。自旋阀磁阻效应磁头具有多层结构,包括至少在端侧的第一反铁磁层,软磁层,反平行耦合中间过渡层和第一自由磁层。
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公开(公告)号：CN1081819C
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN97103102.9
申请日：1997-02-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻换能器，包括：一个多层膜，它含有顺序迭加的第一软磁性层、非磁性层、第二软磁性层和反铁磁性层，该第一软磁性层含有由(CoyFe100-y)100-xBx合金层和(CoyFe100-y)100-xCx合金层之一构成的一个合金层，其中x和y表示原子百分数(at%)，该合金层紧靠所述的非磁性层，该合金层具有面心立方晶格结构，其晶格常数小于CoyFe100-y合金的晶格常数；以及一对电极，它形成在所述的多层膜上，允许读出电流通过所述的多层膜。
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