公开(公告)号：CN1212418A

公开(公告)日：1999-03-31

申请号：CN98104446.8

申请日：1998-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 金井均 ,  青岛贤一 ,  山田健一郎 ,  冈田光正 ,  清水栄二 ,  兼淳一

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种制造旋转阀式GMR头的方法,该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面,该方法包含的步骤有:形成一磁膜,其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层;在磁场中对其进行第一热处理,增强自由磁化层的磁异向性;在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理,固定在固定磁化层中的磁化方向。

公开(公告)号：CN1095154C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN98104446.8

申请日：1998-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 金井均 ,  青岛贤一 ,  山田健一郎 ,  冈田光正 ,  清水栄二 ,  兼淳一

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种制造自旋阀式GMR头的方法，该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面，该方法包含的步骤有：形成一磁膜，其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层；在磁场中对其进行第一热处理，增强自由磁化层的磁异向性；在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理，固定在固定磁化层中的磁化方向。