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公开(公告)号：CN1226054A
公开(公告)日：1999-08-18
申请号：CN99101788.9
申请日：1999-02-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B5/40 , G11B5/455 , G11B5/465 , G11B5/54 , G11B33/14 , G11B2005/0008 , G11B2005/0018 , G11B2005/3996
Abstract: 当引线层磁场偏移判断单元判断读出电流以干扰方向流过的自旋开关磁头的引线层中的磁场已偏离正常方向时,恢复处理单元恢复磁场偏移产生的异常。例如,把读出电流的方向从干扰方向切换到辅助方向,并使比正常读操作时大的读出电流流动,以使反铁磁层的温度超过阻挡温度,以此有读出电流产生的磁场作用将引线层中的磁场方向改变到正常方向。改变后,读出电流返回其在干扰方向的正常值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1750125A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510007551.1
申请日：2005-02-05
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 上野博秋
CPC classification number: G11B20/10009 , G11B5/012 , G11B5/09 , G11B20/10046 , G11B20/10481 , G11B2220/2516
Abstract: 磁记录/再现设备和磁记录/再现方法。以垂直磁记录系统在盘中记录的数据通过磁头从盘中读出，通过磁头前置放大器放大，并通过读取通道LSI进行信号处理。HDD控制器的读出处理单元发送经读取通道LSI处理过的信号作为垂直磁记录系统的输出。另外，HDD控制器的截止频率控制单元根据所述读出处理单元读出的数据传输率来确定磁头前置放大器的高通滤波器的截止频率，控制截止频率改变单元，并且改变所述截止频率的值。
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公开(公告)号：CN100343896C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510007551.1
申请日：2005-02-05
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 上野博秋
CPC classification number: G11B20/10009 , G11B5/012 , G11B5/09 , G11B20/10046 , G11B20/10481 , G11B2220/2516
Abstract: 磁记录/再现设备和磁记录/再现方法。以垂直磁记录系统在盘中记录的数据通过磁头从盘中读出，通过磁头前置放大器放大，并通过读取通道LSI进行信号处理。HDD控制器的读出处理单元发送经读取通道LSI处理过的信号作为垂直磁记录系统的输出。另外，HDD控制器的截止频率控制单元根据所述读出处理单元读出的数据传输率来确定磁头前置放大器的高通滤波器的截止频率，控制截止频率改变单元，并且改变所述截止频率的值。
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公开(公告)号：CN1672331A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818518.0
申请日：2003-08-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 上野博秋
CPC classification number: H03M13/2972 , G11B20/10009 , G11B20/10055 , G11B20/1426 , G11B20/18 , H03M13/29 , H03M13/2975 , H03M13/612 , H03M13/6331 , H03M13/6343 , H03M13/658
Abstract: 在具备从记录介质再生被编码的数据的再生头(18)；译码被编码的数据的内代码的内代码APP电路(22)；译码外代码，把结果作为内代码的事前信息输出到内代码APP电路(22)的外代码APP电路(23)的再生装置中，进一步具备在内代码APP电路(22)中设定σ值的σ设定电路(21)以及计算误码率的误码率计算电路(29)。σ设定电路(21)可以改变σ值，误码率计算电路(29)计算在各个σ值中的误码率，σ设定电路(21)根据计算出的误码率，把得到良好的误码率的σ值作为最佳σ值确定，把σ值设定在内代码APP电路(22)中。
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公开(公告)号：CN101399045A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810213591.5
申请日：2008-09-16
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 上野博秋
IPC: G11B5/09
CPC classification number: G11B20/10194
Abstract: 本发明提供存储装置和记录补偿处理方法。根据一个实施方式的一方面，存储装置具有用于以分别与多个位序列码型相关联的方式存储多个补偿值的存储部、用于将数据写入介质中的头部以及用于控制所述存储装置和驱动所述头部的控制器，所述控制器根据相对于所述位序列码型恰在前面的数据位确定是否使用所述多个补偿值中的一个补偿值来驱动所述头部写入瞬时数据位。
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公开(公告)号：CN1138256C
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN99101788.9
申请日：1999-02-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B5/40 , G11B5/455 , G11B5/465 , G11B5/54 , G11B33/14 , G11B2005/0008 , G11B2005/0018 , G11B2005/3996
Abstract: 当钉扎层磁场偏移判断单元判断读出电流以干扰方向流过的自旋开关磁头的钉扎层中的磁场已偏离正常方向时，恢复处理单元恢复磁场偏移产生的异常。例如，把读出电流的方向从干扰方向切换到辅助方向，并使比正常读操作时大的读出电流流动，以使反铁磁层的温度超过阻挡温度，以此有读出电流产生的磁场作用将钉扎层中的磁场方向改变到正常方向。改变后，读出电流返回其在干扰方向的正常值。
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