公开(公告)号：CN100390994C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200510051138.5

申请日：2005-02-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若山繁俊 ,  甲斐睦章

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: H03F3/45183 ,  H03F1/52 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45475

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。电容器具有MOS栅极结构，其中在栅极接线端和接地端之间具有栅极绝缘膜作为电介质。开关单元连接在栅极接线端和电源之间。接地端连接到地。配备有开关控制电路，其将开关单元的状态在导通态和非导通态之间切换。预定电压和栅极接线端电压被分别输入到开关控制电路的正相输入端和反相输入端。当栅极接线端电压高于预定电压时开关单元导通，当栅极接线端电压低于预定电压时开关单元非导通。

公开(公告)号：CN1750264A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510051138.5

申请日：2005-02-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若山繁俊 ,  甲斐睦章

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: H03F3/45183 ,  H03F1/52 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45475

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。电容器具有MOS栅极结构，其中在栅极接线端和接地端之间具有栅极绝缘膜作为电介质。开关单元连接在栅极接线端和电源之间。接地端连接到地。配备有开关控制电路，其将开关单元的状态在导通态和非导通态之间切换。预定电压和栅极接线端电压被分别输入到开关控制电路的正相输入端和反相输入端。当栅极接线端电压高于预定电压时开关单元导通，当栅极接线端电压低于预定电压时开关单元非导通。

公开(公告)号：CN1534777A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410007091.8

申请日：2004-02-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若山繁俊 ,  甲斐睦章 ,  加藤宽之 ,  须贺真人

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有保护环的半导体器件的多层互连结构包括第一保护环，其沿着衬底的外围连续地延伸，以及第二保护环，其沿着外围在多层互连结构中连续地延伸，以便被第一保护环包围，以便包围多层互连结构内部的互连图形，其中第一和第二保护环由桥接导电图形机械地且连续地彼此连接，该桥接导电图形沿着包括第一和第二保护环的区域以带状连续地延伸，当在垂直于衬底的方向上观察时。