公开(公告)号：CN1402347A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02118437.2

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 甲斐睦章

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541

Abstract: 以层叠方式安置在一个衬底上的半导体芯片和应用此半导体芯片的半导体集成电路装置。一个预定的半导体芯片被来自外部单元的芯片选择信号选中，尽管芯片有相同布线图形且数目很多地彼此层叠。半导体集成电路装置通过应用该半导体芯片构成。半导体芯片包括排列在前表面保持一个预定间距的多个第一电极端子来接收参考信号以便产生比较信号，比较信号和芯片选择信号在一个比较电路中比较来选择一个芯片，多个第二电极端子排列在和前表面对立的后表面，每个相比于多个第一电极端子偏离一个间距，它们输出参考信号输入到第一电极端子，以及用于电连接偏离一个间距的第一第二电极端子的连接部分。

公开(公告)号：CN1750264A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510051138.5

申请日：2005-02-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若山繁俊 ,  甲斐睦章

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: H03F3/45183 ,  H03F1/52 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45475

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。电容器具有MOS栅极结构，其中在栅极接线端和接地端之间具有栅极绝缘膜作为电介质。开关单元连接在栅极接线端和电源之间。接地端连接到地。配备有开关控制电路，其将开关单元的状态在导通态和非导通态之间切换。预定电压和栅极接线端电压被分别输入到开关控制电路的正相输入端和反相输入端。当栅极接线端电压高于预定电压时开关单元导通，当栅极接线端电压低于预定电压时开关单元非导通。

公开(公告)号：CN1534777A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410007091.8

申请日：2004-02-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若山繁俊 ,  甲斐睦章 ,  加藤宽之 ,  须贺真人

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有保护环的半导体器件的多层互连结构包括第一保护环，其沿着衬底的外围连续地延伸，以及第二保护环，其沿着外围在多层互连结构中连续地延伸，以便被第一保护环包围，以便包围多层互连结构内部的互连图形，其中第一和第二保护环由桥接导电图形机械地且连续地彼此连接，该桥接导电图形沿着包括第一和第二保护环的区域以带状连续地延伸，当在垂直于衬底的方向上观察时。

公开(公告)号：CN100390994C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200510051138.5

申请日：2005-02-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若山繁俊 ,  甲斐睦章

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: H03F3/45183 ,  H03F1/52 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45475

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。电容器具有MOS栅极结构，其中在栅极接线端和接地端之间具有栅极绝缘膜作为电介质。开关单元连接在栅极接线端和电源之间。接地端连接到地。配备有开关控制电路，其将开关单元的状态在导通态和非导通态之间切换。预定电压和栅极接线端电压被分别输入到开关控制电路的正相输入端和反相输入端。当栅极接线端电压高于预定电压时开关单元导通，当栅极接线端电压低于预定电压时开关单元非导通。

公开(公告)号：CN1220263C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02118437.2

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 甲斐睦章

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541

Abstract: 以层叠方式安置在一个衬底上的半导体芯片和应用此半导体芯片的半导体集成电路装置。一个预定的半导体芯片被来自外部单元的芯片选择信号选中，尽管芯片有相同布线图形且数目很多地彼此层叠。半导体集成电路装置通过应用该半导体芯片构成。半导体芯片包括排列在前表面保持一个预定间距的多个第一电极端子来接收参考信号以便产生比较信号，比较信号和芯片选择信号在一个比较电路中比较来选择一个芯片，多个第二电极端子排列在和前表面对立的后表面，每个相比于多个第一电极端子偏离一个间距，它们输出参考信号输入到第一电极端子，以及用于电连接偏离一个间距的第一第二电极端子的连接部分。