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公开(公告)号：CN1534777A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410007091.8
申请日：2004-02-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/564 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有保护环的半导体器件的多层互连结构包括第一保护环，其沿着衬底的外围连续地延伸，以及第二保护环，其沿着外围在多层互连结构中连续地延伸，以便被第一保护环包围，以便包围多层互连结构内部的互连图形，其中第一和第二保护环由桥接导电图形机械地且连续地彼此连接，该桥接导电图形沿着包括第一和第二保护环的区域以带状连续地延伸，当在垂直于衬底的方向上观察时。
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