公开(公告)号：CN1697078A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510072601.4

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口秀策 ,  内田敏也 ,  柳下良昌 ,  阪东能英 ,  矢田雅大 ,  奥田正树 ,  小林广之 ,  原浩太 ,  藤冈伸也 ,  藤枝和一郎

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/409

CPC classification number: G11C7/1006 ,  G11C8/12 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/4087 ,  G11C2211/4061 ,  G11C2211/4062

Abstract: 一种半导体存储器，其中形成用于再生第一存储器块的数据的多个第一存储器块和一个第二存储器块。当读命令与刷新命令彼此冲突时，读控制电路根据刷新命令访问第一存储器块并利用第二存储器块再生读数据。当写命令与刷新命令彼此冲突时，写控制电路根据命令接收的次序操作存储器块。因此，可能在不由用户识别的情况下执行刷新操作。即，提供用户友好的半导体存储器，并且，再生读数据使得可以输出读数据而没有访问时间上的延迟。这最终能实现对读命令的高速响应和高速数据传输速率。

公开(公告)号：CN1236453C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN02143453.0

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口秀策 ,  内田敏也 ,  柳下良昌 ,  阪东能英 ,  矢田雅大 ,  奥田正树 ,  小林广之 ,  原浩太 ,  藤冈伸也 ,  藤枝和一郎

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C7/1006 ,  G11C8/12 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/4087 ,  G11C2211/4061 ,  G11C2211/4062

Abstract: 一种半导体存储器，其中形成用于再生第一存储器块的数据的多个第一存储器块和一个第二存储器块。当读命令与刷新命令彼此冲突时，读控制电路根据刷新命令访问第一存储器块并利用第二存储器块再生读数据。当写命令与刷新命令彼此冲突时，写控制电路根据命令接收的次序操作存储器块。因此，可能在不由用户识别的情况下执行刷新操作。即，提供用户友好的半导体存储器。并且，再生读数据使得可以输出读数据而没有访问时间上的延迟。这最终能实现对读命令的高速响应和高速数据传输速率。

公开(公告)号：CN1402255A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02143453.0

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口秀策 ,  内田敏也 ,  柳下良昌 ,  阪东能英 ,  矢田雅大 ,  奥田正树 ,  小林广之 ,  原浩太 ,  藤冈伸也 ,  藤枝和一郎

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C7/1006 ,  G11C8/12 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/4087 ,  G11C2211/4061 ,  G11C2211/4062

Abstract: 形成用于再生第一存储器块的数据的多个第一存储器块和一个第二存储器块。当读命令与刷新命令彼此冲突时，读控制电路根据刷新命令访问第一存储器块并利用第二存储器块再生读数据。当写命令与刷新命令彼此冲突时，写控制电路根据命令接收的次序操作存储器块。因此，可能在不由用户识别的情况下执行刷新操作。即，提供用户友好的半导体存储器。