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公开(公告)号：CN101206916A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710135818.4
申请日：2007-07-13
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 川久保智广 , 山口秀策 , 池田仁史 , 内田敏也 , 小林广之 , 神田达哉 , 山本喜史 , 白川晓 , 宫本哲生 , 大塚龙志 , 高桥秀长 , 栗田昌德 , 镰田心之介 , 佐藤绫子
IPC: G11C11/406 , G11C8/12
CPC classification number: G11C11/4087 , G09G5/393 , G09G5/395 , G11C8/12
Abstract: 本发明提供了存储器设备、存储器控制器和存储器系统。一种响应于来自存储器控制器的命令而被操作的存储器设备具有多个存储体，该多个存储体分别具有包括存储器单元阵列和解码器的存储器核心并且被存储体地址选择；以及控制电路，该控制电路响应于后台刷新命令，致使由存储器控制器设置的刷新目标存储体内的存储器核心相继执行刷新操作多次，次数对应于由存储器控制器设置的刷新突发长度，并且在由刷新目标存储体内的存储器核心执行的刷新操作期间，该控制电路响应于正常操作命令，还致使除刷新目标存储体之外的被存储体地址选择的存储体内的存储器核心执行与正常操作命令相对应的正常存储器操作。
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公开(公告)号：CN1519859A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN03178499.2
申请日：2001-08-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/406
Abstract: 自更新控制电路以预定循环自动更新存储单元。内电压发生器一接收到外部电源电压就产生要被供应到预定内电路的内电压。当接收外部的控制信号时，半导体存储器件阻止激活自更新控制电路并降低内电压发生器的供应能力，从而进入到低功率消耗方式中。当在低功率消耗方式中不需要保留存储单元的数据时。由于未执行更新，内电压发生器可以以足以补偿内电路消耗的电功率的功率进行操作。结果，可减小功率消耗方式中的功率消耗。
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公开(公告)号：CN100429723C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200410063484.0
申请日：2004-07-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: G11C7/22 , G11C5/14 , G11C7/1072 , G11C11/4072 , G11C2207/2227
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器，该半导体存储器不通过控制寄存器设置可以从同步模式中的功率下降状态转换到异步模式，并且其不需要额外电路。通过根据预先输入的状态选择信号而选择其电平在功率下降状态改变的内部信号或其电平在功率下降状态不变的内部信号，并且将选择的内部信号传送到同步/异步模式设置部件，状态选择部件选择该半导体存储器是否应该从功率下降状态转换到同步模式中的待机状态或异步模式中的待机状态；其中其电平在功率下降状态中改变的该内部信号是用于内部电源电路的起动信号。根据状态选择部件的选择，同步/异步模式设置部件产生用于使该半导体存储器在同步模式和异步模式之间转换的信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100362592C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN03178499.2
申请日：2001-08-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/406
Abstract: 自更新控制电路以预定循环自动更新存储单元。内电压发生器一接收到外部电源电压就产生要被供应到预定内电路的内电压。当接收外部的控制信号时，半导体存储器件阻止激活自更新控制电路并降低内电压发生器的供应能力，从而进入到低功率消耗方式中。当在低功率消耗方式中不需要保留存储单元的数据时。由于未执行更新，内电压发生器可以以足以补偿内电路消耗的电功率的功率进行操作。结果，可减小功率消耗方式中的功率消耗。
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公开(公告)号：CN1614716A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410063484.0
申请日：2004-07-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: G11C7/22 , G11C5/14 , G11C7/1072 , G11C11/4072 , G11C2207/2227
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器，该半导体存储器不通过控制寄存器设置可以从同步模式中的功率下降状态转换到异步模式，并且其不需要额外电路。通过根据预先输入的状态选择信号而选择其电平在功率下降状态改变的内部信号或其电平在功率下降状态不变的内部信号，并且将选择的信号传送到同步/异步模式设置部件，状态选择部件选择该半导体存储器是否应该从功率下降状态转换到同步模式中的待机状态或异步模式中的待机状态。根据状态选择部件的选择，同步/异步模式设置部件产生用于使该半导体存储器在同步模式和异步模式之间转换的信号。
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公开(公告)号：CN101075479A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710103314.4
申请日：2007-05-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11C11/4074 , G11C11/409
CPC classification number: G11C11/406 , G11C5/143 , G11C5/145 , G11C7/22 , G11C11/40615 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/4085 , G11C2211/4067
Abstract: 一种具有低电流消耗特性的半导体存储装置，包括：DRAM存储核心电路，该存储核心电路包含字线；电源电路，被配置为第一状态和第二状态中择一的状态下运行，以生成预定的电源电压并提供给DRAM存储核心电路，所述电源电路在第一状态下消耗的电流大于在第二状态下消耗的电流；以及控制电路，设置该控制电路以控制所述电源电路，使得所述电源电路在字线激活到字线解除激活期间，从第一状态切换到第二状态，随后再返回第一状态。
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公开(公告)号：CN1207715C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN01124583.2
申请日：2001-08-09
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 自更新控制电路以预定循环自动更新存储单元。内电压发生器一接收到外部电源电压就产生要被供应到预定内电路的内电压。当接收外部的控制信号时，半导体存储器件阻止激活自更新控制电路并降低内电压发生器的供应能力，从而进入到低功率消耗方式中。当在低功率消耗方式中不需要保留存储单元的数据时。由于未执行更新，内电压发生器可以以足以补偿内电路消耗的电功率的功率进行操作。结果，可减小功率消耗方式中的功率消耗。
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公开(公告)号：CN1338754A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01124583.2
申请日：2001-08-09
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 自更新控制电路以预定循环自动更新存储单元。内电压发生器一接收到外部电源电压就产生要被供应到预定内电路的内电压。当接收外部的控制信号时,半导体存储器件阻止激活自更新控制电路并降低内电压发生器的供应能力,从而进入到低功率消耗方式中。当在低功率消耗方式中不需要保留存储单元的数据时。由于未执行更新,内电压发生器可以以足以补偿内电路消耗的电功率的功率进行操作。结果,可减小功率消耗方式中的功率消耗。
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