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公开(公告)号：CN1696055A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200410083147.8
申请日：2004-09-30
CPC classification number: G11B5/70605 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01F1/0081 , Y10S977/743 , Y10S977/744 , Y10T428/13 , Y10T428/268 , Y10T428/2918 , Y10T428/292 , Y10T428/294 , Y10T428/2975 , Y10T428/2991
Abstract: 一种碳纳米管复合材料，包括碳纳米管和覆盖在碳纳米管内表面的金属连续层。它是通过下述过程来制备的：形成金属基体层和处理金属基体层以在金属基体层中形成多个纳米孔而形成纳米孔结构，所述纳米孔在基本垂直于金属基体层的方向上延伸；在纳米孔内形成碳纳米管；和用金属连续层覆盖碳纳米管内表面。它具有控制良好的小尺寸，具有优良、均衡的物理特性，可以抵抗金属随时间的氧化，其化学稳定性高，具有良好的耐用性，可重复使用，具有良好的可涂覆性、对其他材料的高润湿性和可分散性，容易进行化学改性，易处理，可用于多个领域。
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公开(公告)号：CN1695182A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03825181.7
申请日：2003-03-19
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种能进行高密度记录和高速记录的、重写特性优良的、具有均匀特性的高品质、大容量的磁记录介质等。本发明的磁记录介质是在基板上具有在与该基板面大致垂直的方向上形成了多个细孔的多孔质层而构成，在该细孔的内部，从上述基板侧开始依次具有软磁性层和强磁性层，(1)该强磁性层的厚度为该软磁性层的厚度或其以下，(2)该强磁性层的厚度是由在记录时使用的线记录密度决定的最小位长的1/3倍～3倍的任意一个。本发明的磁记录介质的制造方法是上述磁记录介质的记录方法，包括：多孔质层形成工序，在基板上形成多孔质层形成材料层后，对该多孔质层形成材料层进行多孔质化处理，在与该基板面大致垂直的方向上形成多个细孔，形成多孔质层；软磁性层形成工序，在该细孔的内部形成软磁性层；以及，强磁性层形成工序，在该软磁性层上形成强磁性层。
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公开(公告)号：CN1694163A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510059481.4
申请日：2005-03-25
Applicant: 富士通株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
Abstract: 一种纳米孔结构，包括：金属矩阵；以及纳米孔，规则排列在该金属矩阵中，其中，所述纳米孔以行为单位隔开特定间隔，以构成纳米孔行。纳米孔行优选同心或螺旋排列。在相邻纳米孔行中的纳米孔优选沿径向设置。每个纳米孔行的宽度优选沿其纵向以特定间隔改变。一种磁记录介质，包括：衬底；以及在该衬底上面或上方的多孔层。该多孔层包括纳米孔，每个纳米孔在基本上垂直于衬底平面的方向上延伸，其中包含至少一种磁性材料，并且该多孔层为上述纳米孔结构。
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公开(公告)号：CN1244703A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN99110598.2
申请日：1999-08-09
IPC: G11B13/04
CPC classification number: G11B11/10515 , G11B11/10534 , G11B11/10595
Abstract: 在从磁光记录介质的一个记录层上读出信息信号时,采用MSR(磁感应超分辨率)技术对磁光记录介质施加一个读出头磁场,使得处在读出光点之内的一部分区域中受到读出光照射的磁性层在一个方向上磁化。采用这种MSR技术的磁光记录介质适用于将信息信号写在脊上的脊上记录方法,这样就能用很小的读出头磁场借助于MSR技术读出信息信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1008845B
公开(公告)日：1990-07-18
申请号：CN85109508
申请日：1985-12-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/243 , G11B7/2542 , G11B7/2572 , G11B7/2578 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , Y10S430/146 , Y10S430/165
Abstract: 利用能够形成两种稳定晶态的合金膜来记录和擦抹光学信息，由于在不同条件下的光能照射，两种稳定晶态具有不同的晶体结构和光学性质。
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公开(公告)号：CN101070154B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710091933.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 富士通株式会社 , 国立大学法人东北大学 , 财团法人神奈川科学技术研究院
CPC classification number: B81C1/00206 , B81B2201/0214 , B81B2203/0361
Abstract: 本发明提供由碳纳米管构成的碳纳米管链、适于用作例如目标检测器或传感器的碳纳米管链、以及提供高效的碳纳米管链生产工艺。该碳纳米管链包括载体和一端与载体表面结合的多个碳纳米管，其中该多个碳纳米管定向于与载体表面基本上成一直角的方向。
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公开(公告)号：CN101209814A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710196350.X
申请日：2007-11-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供了纳米结构制造法、磁盘制造法、压模形成法及基体产生法。该纳米结构制造方法包括以下步骤：通过散布由与纳米级平坦的基板的材料不同的材料制成的至少一层纳米级粒子，在所述基板上形成粒子层；在所述粒子层上形成保持体，所述保持体通过紧密地接合到形成所述粒子层的粒子来保持所述粒子层；以及按照使所述粒子层完好保留的方式去除所述基板。
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公开(公告)号：CN1675687A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819620.4
申请日：2003-02-06
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供的磁记录媒体，由基板、形成于基板上的下部电极层、形成于下部电极层上的阳极氧化铝膜(13)、形成于阳极氧化铝膜(13)的上部表面以及细孔(14)的内壁的碳层(15)、细孔(14)的隔有碳层(15)的内部形成的磁性粒子(16)、形成于碳层(15)以及磁性粒子(16)的表面的润滑层等构成。通过由碳层(15)覆盖阳极氧化铝膜(13)的表面以及细孔(14)的内壁，从而保护阳极氧化铝膜(13)，实现耐蚀性以及耐久性优良的磁记录媒体。
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公开(公告)号：CN85109508A
公开(公告)日：1986-07-09
申请号：CN85109508
申请日：1985-12-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/243 , G11B7/2542 , G11B7/2572 , G11B7/2578 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , Y10S430/146 , Y10S430/165
Abstract: 利用能够形成两种稳定晶态的合金膜来记录和擦抹光学信息，由于在不同条件下的光能照射，两种稳定晶态具有不同的晶体结构和光学性质。
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