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公开(公告)号：CN101209814A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710196350.X
申请日：2007-11-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供了纳米结构制造法、磁盘制造法、压模形成法及基体产生法。该纳米结构制造方法包括以下步骤：通过散布由与纳米级平坦的基板的材料不同的材料制成的至少一层纳米级粒子，在所述基板上形成粒子层；在所述粒子层上形成保持体，所述保持体通过紧密地接合到形成所述粒子层的粒子来保持所述粒子层；以及按照使所述粒子层完好保留的方式去除所述基板。
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