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公开(公告)号：CN1279526C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02108708.3
申请日：2002-03-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10586 , G11B11/10584 , Y10T428/12812 , Y10T428/12833 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12986 , Y10T428/12993 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31
Abstract: 磁光记录媒体至少包括在基片上以该顺序形成的反射层和记录层，其中信息的记录和再现是通过用来自记录层侧的激光束辐射媒体实现的。反射层包括两层或多层在表面粗糙度上不同的薄膜层，其中靠近基片的薄膜层具有小于靠近记录层的薄膜层之表面张力的表面张力。通过设计记录层的构成，本发明将改善磁光记录媒体记录层的矫顽磁力和CNR以实现高密度记录。
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公开(公告)号：CN1248198C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN99816922.6
申请日：1999-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/00 , G11B5/02 , G11B5/64 , G11B2005/0002 , G11B2005/0029
Abstract: 一种能实现高密度记录的、不因热量而失稳的磁性记录介质，它通过采用这样一种磁性材料而提供，即使得在一个记录磁性层中的矫磁力随温度升高而增大。磁性记录介质是这样一种介质，其中在其中执行磁性记录的记录磁性层包括一种N型铁氧体磁体材料，并且使该N型铁氧体磁体材料的补偿温度高于在其中使用磁性记录介质的操作温度范围。
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公开(公告)号：CN1692419A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100557.2
申请日：2003-10-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/10 , G11B11/105
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/02 , G11B5/314 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及具有记录层的磁光记录介质，该介质在记录层侧被记录光照射并被施加磁场，其中通过记录光的照射和磁场的施加，数据被记录到记录层上。本发明的目的是提供一种磁光记录介质，它能够在读出期间用高功率激光束照射而不增大噪声，并且其记录层在记录期间可以用中等功率激光束充分加热以减小其矫顽磁力。该磁光记录介质包括衬底；形成在衬底上并具有预定的高导热率第一散热层；形成在第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层；形成在分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层；和记录层，该记录层形成在散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录到所述记录层上。
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公开(公告)号：CN1967664A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610145108.5
申请日：2006-11-10
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包括基材和形成在基材上的记录层的磁性记录介质。记录层具有多个信息轨道，所述信息轨道中的每一个包括轨道伺服信号区和用户数据区。相邻信息轨道被非磁性材料分隔开。所述轨道伺服信号区具有多个沿轨道延伸方向排列的磁性部分和布置磁性部分之间的非磁性部分。所述用户数据区包括沿所述轨道延伸方向排列的磁性部分。轨道伺服信号区Ts中的磁性部分的矫顽磁力和用户数据区YD中的磁性部分的矫顽磁力不同。例如，前者的矫顽磁力小于后者的矫顽磁力。
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公开(公告)号：CN100530362C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610143518.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66 , G11B5/02 , G11B11/105
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。本发明提供了一种磁存储器，其包括：磁记录介质，其具有包含晶体磁粒的记录层；加热单元，其选择性地加热所述磁记录介质；以及具有磁记录磁头的记录单元，其中：所述加热单元加热所述磁记录介质，同时所述磁头将信息记录到所述记录层上，并且，所述记录层包括柱状粒结构或者其中设置有纳米颗粒的结构，其中该柱状粒结构在柱状结构中具有晶粒并且在其周围具有非磁性材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100485787C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610145108.5
申请日：2006-11-10
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包括基材和形成在基材上的记录层的磁性记录介质。记录层具有多个信息轨道，所述信息轨道中的每一个包括轨道伺服信号区和用户数据区。相邻信息轨道被非磁性材料分隔开。所述轨道伺服信号区具有多个沿轨道延伸方向排列的磁性部分和布置磁性部分之间的非磁性部分。所述用户数据区包括沿所述轨道延伸方向排列的磁性部分。轨道伺服信号区Ts中的磁性部分的矫顽磁力和用户数据区YD中的磁性部分的矫顽磁力不同。例如，前者的矫顽磁力小于后者的矫顽磁力。
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公开(公告)号：CN1367921A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN99816922.6
申请日：1999-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/00 , G11B5/02 , G11B5/64 , G11B2005/0002 , G11B2005/0029
Abstract: 一种能实现高密度记录的、不因热量而失稳的磁性记录介质,它通过采用这样一种磁性材料而提供,即使得在一个记录磁性层中的矫磁力随温度升高而增大。磁性记录介质是这样一种介质,其中在其中执行磁性记录的记录磁性层包括一种N型铁氧体磁体材料,并且使该N型铁氧体磁体材料的补偿温度高于在其中使用磁性记录介质的操作温度范围。
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公开(公告)号：CN100533566C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN03809083.X
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B7/24
CPC classification number: G11B5/09 , G11B7/243 , G11B7/2531 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B11/10532 , G11B11/10554 , G11B11/1058 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0021 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571
Abstract: 提供一种光记录媒体、磁光记录媒体、信息记录/再生装置、信息记录/再生方法及磁记录装置。其中，在用聚碳酸酯等形成的有平行平面的基板上依次形成反射层、核形成基底层、核形成层、记录层的层叠结构，在反射层和记录层之间形成的核形成层的表面呈有微小的核(突起部)的微小的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN100405467C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410083132.1
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B11/10589 , G11B5/66
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。一种磁记录介质，其包括：第一磁层；以及形成在所述第一磁层上的第二磁层。所述第一磁层和所述第二磁层之间进行交换耦合，并且，它们的磁化方向相互反平行。所述第一磁层和所述第二磁层的净残留面积磁化强度由下面的公式表示：|Mr1×t1-Mr2×t2|，其中Mr1和Mr2分别表示所述第一磁层和所述第二磁层的剩余磁化强度，t1和t2表示它们各自的膜厚；并且第一温度下的净残留面积磁化强度大于比所述第一温度低的第二温度下的净残留面积磁化强度。
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公开(公告)号：CN101110221A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610143518.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66 , G11B5/02 , G11B11/105
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。本发明提供了一种磁存储器，其包括：磁记录介质，其具有包含晶体磁粒的记录层；加热单元，其选择性地加热所述磁记录介质；以及具有磁记录磁头的记录单元，其中，所述加热单元加热所述磁记录介质，同时所述磁头将信息记录到所述记录层上。
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