公开(公告)号：CN106457508A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025755.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 富士纺控股株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤三千登 ,  上野淳一 ,  石井薰 ,  川村佳秀 ,  吉田泰司 ,  高木正孝

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/30625

Abstract: 提供一种研磨垫，对于研磨后的被研磨物，能够充分减少在测定26nm以下的颗粒尺寸时所检出的微小的缺陷，并且该被研磨物表面的平坦性也优异。该研磨垫具备：具有用于研磨被研磨物的研磨面的研磨层(110)，和在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层(120)、硬质层(130)和缓冲层(140)，其中对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，该中间层(120)大于所述研磨层，所述硬质层(130)小于所述研磨层，缓冲层(140)大于所述中间层。

公开(公告)号：CN106457508B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201580025755.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 富士纺控股株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤三千登 ,  上野淳一 ,  石井薰 ,  川村佳秀 ,  吉田泰司 ,  高木正孝

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/30625

Abstract: 提供一种研磨垫，对于研磨后的被研磨物，能够充分减少在测定26nm以下的颗粒尺寸时所检出的微小的缺陷，并且该被研磨物表面的平坦性也优异。该研磨垫具备：具有用于研磨被研磨物的研磨面的研磨层(110)，和在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层(120)、硬质层(130)和缓冲层(140)，其中对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，该中间层(120)大于所述研磨层，所述硬质层(130)小于所述研磨层，缓冲层(140)大于所述中间层。

公开(公告)号：CN116887946A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280015335.3

申请日：2022-03-18

Applicant: 富士纺控股株式会社

Inventor： 川村佳秀 ,  立野哲平 ,  栗原浩 ,  山口早月 ,  高见沢大和 ,  越智恵介 ,  川崎哲明

IPC: B24B37/24

Abstract: 一种研磨垫，具有包含聚氨基甲酸酯树脂发泡体的研磨层，所述聚氨基甲酸酯树脂发泡体包含异氰酸酯末端预聚物与硬化剂，所述研磨垫中，通过脉冲NMR法在80℃下所测定的所述研磨层中的非晶相的含有重量比例(NC80)相对于通过脉冲NMR法在40℃下所测定的所述研磨层中的非晶相的含有重量比例(NC40)的比(NC80/NC40)为1.5～2.5。

公开(公告)号：CN116323100A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180064768.3

申请日：2021-09-29

Applicant: 富士纺控股株式会社

Inventor： 川村佳秀 ,  立野哲平 ,  松冈立马 ,  栗原浩 ,  鸣岛早月 ,  高见沢大和 ,  越智惠介 ,  川崎哲明

IPC: B24B37/24

Abstract: 本发明的目的在于，提供无需变更研磨层的物性、气泡结构就能够实现端部塌边的改善和/或台阶消除性能的提高的研磨垫。一种研磨垫，其具备：研磨层，该研磨层具有用于对被研磨物进行研磨加工的研磨面；以及缓冲层，该缓冲层配置于所述研磨层的与研磨面相反一侧，关于通过以弯曲模式利用于25℃的频散进行的动态粘弹性试验得到的、研磨垫整体的储能弹性模量E’和损耗弹性模量E”之比(tanδ)，以100～1000rad/s测得的tanδ的最大值(tanδmax100‑1000)相对于以1～10rad/s测得的tanδ的最大值(tanδmax1‑10)的比值为0.75～1.30。