-
公开(公告)号：CN113122819B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110382902.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法，属于二维材料制备技术领域，用于解决多数研究中需要用到薄层样品都是采用机械剥离方法制备，这种方法存在耗时、费力、无法批量制备、难以精确控制厚度和尺寸等问题。本发明提供的一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法，以过渡金属氧化物和硫粉为源物质，引入助熔盐氯化铵，采用氟金云母和硅片作为生长衬底，在氮氢混合载气下快速生长制备，制备出的二维材料具有较大的尺寸，二硫化铌最大可达115微米，钽掺杂的二硫化铌可达112微米，且本发明与传统机械剥离制备二维材料的方法相比，具有沉积速率高、晶体结构和表面形态可控及可重复性好等优点。
-
公开(公告)号：CN113122819A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110382902.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法，属于二维材料制备技术领域，用于解决多数研究中需要用到薄层样品都是采用机械剥离方法制备，这种方法存在耗时、费力、无法批量制备、难以精确控制厚度和尺寸等问题。本发明提供的一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法，以过渡金属氧化物和硫粉为源物质，引入助熔盐氯化铵，采用氟金云母和硅片作为生长衬底，在氮氢混合载气下快速生长制备，制备出的二维材料具有较大的尺寸，二硫化铌最大可达115微米，钽掺杂的二硫化铌可达112微米，且本发明与传统机械剥离制备二维材料的方法相比，具有沉积速率高、晶体结构和表面形态可控及可重复性好等优点。
-
Search Results
2
records
(took 0.013 seconds)
