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发明公开
一种准一维TaxTi(1-x)S3材料的可控生长方法及计算机设备审中-实审

公开(公告)号：CN116575115A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310411434.X

申请日：2023-04-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴敦 , 郭利哲 , 张闪刚 , 李惠

IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , C30B29/62 , C30B28/14

Abstract: 本发明公开了一种准一维TaxTi(1‑x)S3材料的可控生长方法及计算机设备，属于晶体生长技术领域，生长方法，其特征在于，包括如下步骤：按照摩尔比称取反应源粉末：Ta粉、Ti粉和S粉，混合后使用研钵对反应源粉末进行研磨；将研磨好的反应源粉末置于纯净的石英管底部，放入石英柱，并使用真空封管机对石英管抽真空，密封，使用焊枪将石英柱附近的管壁加热；将密封好的石英管放入双温区马弗炉内，将石英管置于双温端热偶的中心线位置，设置控温程序，进行化学气相输运合成。本发明中使用了化学气相输运法，所生长的准一维TaxTi(1‑x)S3.纯度高，并且实验方法操作简单，成本低廉并且可控性强。

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