公开(公告)号：CN117497024A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311510207.9

申请日：2023-11-10

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  付杰 ,  张秋明 ,  黄震 ,  赵悦 ,  吴秀龙 ,  彭春雨 ,  赵强 ,  高珊 ,  卢文娟 ,  周永亮 ,  戴成虎 ,  郝礼才

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/417 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种10T‑MOSFET‑SRAM单元、及基于该单元的运算电路结构。本发明公开了一种10T‑MOSFET‑SRAM单元，包括8个NMOS管N1～N8、2个PMOS管P1～P2。本发明的单元可以在实现常规的读写功能外，能够组成阵列结构的运算电路，并可以通过配置WL、BL、BLB、PT、A、B的信号来进行同一行数据的或、与非、异或运算，还可配置WL、BL、BLB、PT、AT、BT、A、B的信号以进行列寻址，从而增加了单元的功能；并且本发明在进行寻址时只需将PT连接SA，无需其他额外电路即可完成，可降低BCAM操作功耗以及延时。