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公开(公告)号：CN1428825A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02158825.2
申请日：2002-12-25
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/513 , G02F1/13
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/45591
Abstract: 本发明提供一种在用RS－CVD装置时制作氧化硅膜(SiO2膜)时可以提高原子状氧的产生效率而使氧化硅膜的膜质提高的氧化硅膜制作方法。相对于导入等离子体生成空间的含有氧原子气体(O2气体或O3气体等)添加含有氮原子的气体(N2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体等)，通过使由这些气体生成的等离子体生成的等离子体生成空间的原子状氧量增加解决了课题。
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公开(公告)号：CN100416775C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN02158825.2
申请日：2002-12-25
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/513 , G02F1/13
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/45591
Abstract: 本发明提供一种在用RS-CVD装置时制作氧化硅膜(SiO2膜)时可以提高原子状氧的产生效率而使氧化硅膜的膜质提高的氧化硅膜制作方法。相对于导入等离子体生成空间的含有氧原子气体(O2气体或O3气体等)添加含有氮原子的气体(N2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体等)，通过使由这些气体生成的等离子体生成的等离子体生成空间的原子状氧量增加解决了课题。
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公开(公告)号：CN101812675B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010126197.5
申请日：2005-03-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/452 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/452 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。
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公开(公告)号：CN1419268A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02150481.4
申请日：2002-11-14
Applicant: 安内华股份有限公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/67098 , C23C16/24 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供在采用发热体CVD装置制作硅膜时，能够在元件上形成高质量的多晶硅膜(聚硅膜)的发热体CVD装置及发热体CVD方法。所述发热体CVD装置及使用该装置的发热体CVD方法是在基板上形成硅膜的过程中，将围住基板托架与发热体之间的空间的结构体的内面加热保持在至少200℃以上，最好至少在350℃以上。
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公开(公告)号：CN104024467A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280063746.6
申请日：2012-12-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/088 , C23C14/0036 , C23C14/35 , C23C14/352
Abstract: 本发明提供一种SrRuO3膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO3膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO3膜同时抑制异常放电的发生。本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO3膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO3膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101647103A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010066.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/31 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32486 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31608
Abstract: 一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。
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公开(公告)号：CN100390943C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN03158198.6
申请日：2003-09-17
Applicant: 安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32449
Abstract: 一种薄膜形成装置，将真空容器内部由导电隔板分成两室，其一为设置高频电极的等离子体生成空间。另一用作基片保持机构的成膜处理空间。导电隔板上有通连此两空间的多个通孔，还有与此生成空间分隔且经多个原料气体扩散孔与该处理空间相通的第一内部空间。用于由放电等离子体生成所需活性基团的气体导入此生成空间，生成的活性基团经上述通孔供给该处理空间。原料气体从外部供给此第一空间，经原料气体扩散孔供给该处理空间，利用所述活性基团与原料气体反应而于基片上成膜。此隔板上尚有与该第一空间分隔经多个气体扩散孔与该处理空间相通的第二内部空间以导入原料气体以外的气体。
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公开(公告)号：CN102959140B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180032579.4
申请日：2011-04-12
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/203 , C30B29/38 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/683 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/4586 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/18
Abstract: 提供一种外延膜形成方法，使用该方法可以借助于溅射法生产由第III族氮化物半导体形成的+c-极性外延膜，还提供一种适用于该外延膜形成方法的真空处理设备。例如，溅射法用于在使用加热器(103)加热至任意温度的α-Al2O3基板(107)上外延生长第III族氮化物半导体薄膜。首先，α-Al2O3基板(107)以该α-Al2O3基板(107)离加热器(103)预定距离(d2)设置这样的方式设置在包括加热器(103)的基板保持器(99)上。接着，在α-Al2O3基板(107)距加热器(103)预定距离(d2)设置的情况下，第III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成于α-Al2O3基板(107)上。
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公开(公告)号：CN103329248A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180063194.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/02631 , C23C14/0617 , C23C14/345 , C30B23/005 , C30B23/02 , C30B25/06 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 提供一种用于利用溅射法来在α-Al2O3基板上外延生长高质量的III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成方法。在根据本发明实施方式的外延膜形成方法中，在配置于溅射设备(1)的配备有加热器电极(104)和偏置电极(103)的基板保持件(111)上的α-Al2O3基板上形成III族氮化物半导体薄膜的外延膜的情况下，在利用加热器电极(104)使α-Al2O3基板维持为预定温度的状态下向靶材电极(102)施加高频电力并且向偏置电极(103)施加高频偏置电力。此时，高频电力和高频偏置电力的施加是以在该高频电力和该高频偏置电力之间不会发生频率干涉的方式进行的。
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公开(公告)号：CN102959140A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032579.4
申请日：2011-04-12
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C30B29/38 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/683 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/4586 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/18
Abstract: 提供一种外延膜形成方法，使用该方法可以借助于溅射法生产由第III族氮化物半导体形成的+c-极性外延膜，还提供一种适用于该外延膜形成方法的真空处理设备。例如，溅射法用于在使用加热器(103)加热至任意温度的α-Al2O3基板(107)上外延生长第III族氮化物半导体薄膜。首先，α-Al2O3基板(107)以该α-Al2O3基板(107)离加热器(103)预定距离(d2)设置这样的方式设置在包括加热器(103)的基板保持器(99)上。接着，在α-Al2O3基板(107)距加热器(103)预定距离(d2)设置的情况下，第III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成于α-Al2O3基板(107)上。
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