公开(公告)号：CN1419268A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02150481.4

申请日：2002-11-14

Applicant: 安内华股份有限公司

Inventor： 柄泽稔 ,  石桥启次 ,  田中雅彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67098 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供在采用发热体CVD装置制作硅膜时，能够在元件上形成高质量的多晶硅膜(聚硅膜)的发热体CVD装置及发热体CVD方法。所述发热体CVD装置及使用该装置的发热体CVD方法是在基板上形成硅膜的过程中，将围住基板托架与发热体之间的空间的结构体的内面加热保持在至少200℃以上，最好至少在350℃以上。

公开(公告)号：CN1276472C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02150481.4

申请日：2002-11-14

Applicant: 安内华股份有限公司

Inventor： 柄泽稔 ,  石桥启次 ,  田中雅彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67098 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供在采用发热体CVD装置制作硅膜时，能够在元件上形成高质量的多晶硅膜(聚硅膜)的发热体CVD装置及发热体CVD方法。所述发热体CVD装置及使用该装置的发热体CVD方法是在基板上形成硅膜的过程中，将围住基板托架与发热体之间的空间的结构体的内面加热保持在至少200℃以上，最好至少在350℃以上。

公开(公告)号：CN1497676A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03160176.6

申请日：2003-09-29

Applicant: 安内华股份有限公司 ,  北陆先端科学技术大学院大学

Inventor： 石桥启次 ,  田中雅彥 ,  柄泽稔 ,  砂山英树 ,  山田和孝 ,  松村英树 ,  增田淳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明的发热体CVD装置，将电气连接发热体与电力供给机构的多个连接端子实现电气绝缘的同时、保持在被预先确定的位置上，在处理容器内设置一个或多个连接端子保持座，该连接端子使发热体与基板保持座相对地支承与该连接端子连接的发热体，使得与上述连接端子连接的发热体的连接部区域不露出到处理容器内的空间中。在通过发热体通过孔延伸到处理容器内侧的发热体的部分与连接端子保持座的朝向处理容器内的侧的面之间配备屏蔽板，该屏蔽板具有发热体以非接触的状态通过的发热体通过孔和气体通过用的多个贯通孔。在具有比该连接用销的直径小的内径的小孔并在形成有该小孔的周壁上具有沿轴向延伸的狭缝的连接端子的销接受部的该小孔中嵌插上述连接用销。