公开(公告)号：CN1428825A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02158825.2

申请日：2002-12-25

Applicant: 安内华股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 熊谷晃 ,  石桥启次 ,  森茂

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/513 ,  G02F1/13

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45591

Abstract: 本发明提供一种在用RS－CVD装置时制作氧化硅膜(SiO2膜)时可以提高原子状氧的产生效率而使氧化硅膜的膜质提高的氧化硅膜制作方法。相对于导入等离子体生成空间的含有氧原子气体(O2气体或O3气体等)添加含有氮原子的气体(N2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体等)，通过使由这些气体生成的等离子体生成的等离子体生成空间的原子状氧量增加解决了课题。

公开(公告)号：CN100416775C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN02158825.2

申请日：2002-12-25

Applicant: 安内华股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 熊谷晃 ,  石桥启次 ,  森茂

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/513 ,  G02F1/13

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45591

Abstract: 本发明提供一种在用RS-CVD装置时制作氧化硅膜(SiO2膜)时可以提高原子状氧的产生效率而使氧化硅膜的膜质提高的氧化硅膜制作方法。相对于导入等离子体生成空间的含有氧原子气体(O2气体或O3气体等)添加含有氮原子的气体(N2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体等)，通过使由这些气体生成的等离子体生成的等离子体生成空间的原子状氧量增加解决了课题。

公开(公告)号：CN100459169C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610101939.2

申请日：2006-07-11

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  是成贵弘 ,  松崎忠弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。

公开(公告)号：CN101068030A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200710090652.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/02 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，在该半导体器件中，半导体层形成在绝缘衬底上，并且在半导体层和绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，前端绝缘层能够防止绝缘衬底中包含的杂质对半导体层产生作用，并且能够提高半导体器件的可靠性。在TFT(薄膜晶体管)中，硼被包含在位于距绝缘衬底表面约100nm或者更近的区域中，使得硼的浓度从绝缘衬底表面朝向半导体层以每1nm约1/1000倍的平均速率降低。

公开(公告)号：CN1897307A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101939.2

申请日：2006-07-11

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  是成贵弘 ,  松崎忠弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。