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公开(公告)号：CN100416775C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN02158825.2
申请日：2002-12-25
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/513 , G02F1/13
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/45591
Abstract: 本发明提供一种在用RS-CVD装置时制作氧化硅膜(SiO2膜)时可以提高原子状氧的产生效率而使氧化硅膜的膜质提高的氧化硅膜制作方法。相对于导入等离子体生成空间的含有氧原子气体(O2气体或O3气体等)添加含有氮原子的气体(N2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体等)，通过使由这些气体生成的等离子体生成的等离子体生成空间的原子状氧量增加解决了课题。
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公开(公告)号：CN1428825A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02158825.2
申请日：2002-12-25
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/513 , G02F1/13
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/45591
Abstract: 本发明提供一种在用RS－CVD装置时制作氧化硅膜(SiO2膜)时可以提高原子状氧的产生效率而使氧化硅膜的膜质提高的氧化硅膜制作方法。相对于导入等离子体生成空间的含有氧原子气体(O2气体或O3气体等)添加含有氮原子的气体(N2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体等)，通过使由这些气体生成的等离子体生成的等离子体生成空间的原子状氧量增加解决了课题。
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公开(公告)号：CN1571124A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410055266.2
申请日：2004-03-26
Applicant: 安内华股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/82 , H01L27/00
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45514 , C23C16/45565 , C23C16/5096
Abstract: 本发明涉及一种薄膜形成方法，所述方法将含有金属元素的有机原料气体和氧自由基导入真空容器内，使其反应，在设置于上述真空容器中的基板的表面上形成金属氧化膜。
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公开(公告)号：CN1490851A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03158198.6
申请日：2003-09-17
Applicant: 安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32449
Abstract: 一种薄膜形成装置，将真空容器内部由导电隔板分成两室，其一为设置高频电极的等离子体生成空间。另一用作基片保持机构的成膜处理空间。导电隔板上有通连此两空间的多个通孔，还有与此生成空间分隔且经多个原料气体扩散孔与该处理空间相通的第一内部空间。用于由放电等离子体生成所需活性基团的气体导入此生成空间，生成的活性基团经上述通孔供给该处理空间。原料气体从外部供给此第一空间，经原料气体扩散孔供给该处理空间，利用所述活性基团与原料气体反应而于基片上成膜。此隔板上尚有与该第一空间分隔经多个气体扩散孔与该处理空间相通的第二内部空间以导入原料气体以外的气体。
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公开(公告)号：CN101647103B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880010066.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/31 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32486 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31608
Abstract: 一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101812675A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010126197.5
申请日：2005-03-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/452 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/452 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。
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公开(公告)号：CN100580873C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710198929.X
申请日：2007-12-07
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/683
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L29/0878 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种衬底加热设备和半导体制造方法。该衬底加热设备具有加热装置，该加热装置用于对设置在适合于被抽空的处理室中的衬底进行加热，该衬底加热设备包括：安装在所述加热装置和衬底之间的底座，该衬底安装在该底座上；以及热收纳部件，其安装在所述底座对面，使得衬底夹在热收纳部件和底座之间，并且该热收纳部件通过底座从加热装置收纳热量。形成了允许热收纳部件和衬底之间形成的空间与处理室中的空间连通的通风部分。
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公开(公告)号：CN101271829A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710198929.X
申请日：2007-12-07
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/683
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L29/0878 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种衬底加热设备和半导体制造方法。该衬底加热设备具有加热装置，该加热装置用于对设置在适合于被抽空的处理室中的衬底进行加热，该衬底加热设备包括：安装在所述加热装置和衬底之间的底座，该衬底安装在该底座上；以及热收纳部件，其安装在所述底座对面，使得衬底夹在热收纳部件和底座之间，并且该热收纳部件通过底座从加热装置收纳热量。形成了允许热收纳部件和衬底之间形成的空间与处理室中的空间连通的通风部分。
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公开(公告)号：CN101669016A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200780053002.5
申请日：2007-05-16
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: G01J5/60
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够将温度始终控制为恒定温度并能够在高于或等于1850摄氏度的高温范围内进行温度控制的加热处理设备。该加热处理设备包括：处理室；加热物支撑构件，其设置在所述处理室中；加热器，其设置在所述加热物支撑构件内；以及温度测量部件，用于测量所述加热物支撑构件的温度，其中，所述温度测量部件设置在透过窗的外部，所述透过窗设置在所述处理室的周壁中，并且从所述加热物支撑构件放射的红外线能量能够透过所述透过窗，以及所述温度测量部件包括收集从所述加热物支撑构件放射的红外线能量的集光器和基于红外线中的两个波长的强度之间的比率来计算温度的计算单元。
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公开(公告)号：CN101647103A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010066.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/31 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32486 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31608
Abstract: 一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。
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