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公开(公告)号:CN106103794B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201580007281.6
申请日:2015-01-23
Applicant: 威科ALD有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 各实施方式涉及通过使基板进行短距离往复运动而执行材料在基板上的沉积。用于将材料注入到基板上的一系列反应器以重复的方式沿着基板的长度设置。在每次往复运动期间,基座移动的距离比基板的总长度短。基板的部分通过反应器的子组注入材料。由于基板的运动较小,因此包括基座的线性沉积装置可以制造得较小。
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公开(公告)号:CN103890228A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201280036124.4
申请日:2012-06-29
Applicant: 威科ALD有限公司
Inventor: 李相忍
IPC: C23C16/00
CPC classification number: D06M11/77 , A01N59/16 , C23C16/045 , C23C16/45544 , C23C16/45555 , D06M11/45 , D06M11/83 , Y10T442/20 , Y10T442/2098 , Y10T442/2984 , A01N25/08 , A01N2300/00
Abstract: 实施例涉及利用原子层沉积(ALD)在纤维或含纤维材料上沉积一个或多个材料的层,以提供或增强纤维或含纤维材料的功能性。这样的功能性包括纤维或含纤维材料的例如更高的刚度、更高的强度、增加的对弯曲的耐受、增加的对冲击的耐受或者增加的对张应力的耐受。在纤维或含纤维材料上沉积包覆材料的层,并且然后氧化、硝化或碳化材料的表面以增加材料的体积。通过增加材料的体积,材料经受压应力。压应力使得纤维或含纤维材料更具刚性、更强并且更耐受弯曲力、冲击或张力。
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公开(公告)号:CN102459695B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201080025311.3
申请日:2010-06-07
Applicant: 威科ALD有限公司
Inventor: 李相忍
IPC: C23C16/50
CPC classification number: C23C16/45551 , C01B21/076 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 气相沉积反应器和用于形成薄膜的方法。气相沉积反应器包括用于将反应材料注入气相沉积反应器的第一部分中的凹槽内的至少一个第一注入部分。第二部分连接至第一空间并且具有连接至第一部分的凹槽的凹槽。第二部分的凹槽被维持在具有低于第一空间内的压力的压力下。第三部分连接至第二空间,并且排气部分连接至第三空间。
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公开(公告)号:CN103510067A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310248220.1
申请日:2013-06-18
Applicant: 威科ALD有限公司
Inventor: 李相忍
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45551
Abstract: 本发明的实施例涉及在沉积设备中的反应器的结构,所述沉积设备通过使用多级文丘里效应从而能够有效去除在衬底上沉积的过量的材料。在反应器中,不同高度的收缩区形成在注入室和排气部之间。随着净化气体或前体从注入室行进至排气部并经过收缩区,气体的压力下降而气体的速度增加。压力和速度的这种变化有利于去除在衬底上沉积的过量的材料。
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公开(公告)号:CN106103794A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201580007281.6
申请日:2015-01-23
Applicant: 威科ALD有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 各实施方式涉及通过使基板进行短距离往复运动而执行材料在基板上的沉积。用于将材料注入到基板上的一系列反应器以重复的方式沿着基板的长度设置。在每次往复运动期间,基座移动的距离比基板的总长度短。基板的部分通过反应器的子组注入材料。由于基板的运动较小,因此包括基座的线性沉积装置可以制造得较小。
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公开(公告)号:CN104975273A
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201410698422.0
申请日:2014-11-27
Applicant: 威科ALD有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C07F5/068 , C07F7/1804 , C23C16/401 , C23C16/403 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45578
Abstract: 通过以下步骤使材料沉积到基底上:将基底暴露于含金属前体以使含金属前体的金属原子吸附至基底。将注射有含金属前体的基底暴露于有机前体以通过有机前体与吸附至基底的金属原子的反应使材料层沉积。将基底暴露于还原剂的自由基以增加沉积在基底上的材料的反应性。还原剂的自由基通过用电极向气体例如氢气施加电压差而产生。可在将基底暴露于有机前体之前和/或之后将基底暴露于自由基。可将基底依次暴露于两种或更多种不同的有机前体。沉积在基底上的材料可以是金属醇盐,例如铝氧烷、锌氧烷、锆氧烷、钛氧烷或镍氧烷。本发明还公开了包含沉积到基底上的材料的产品,其通过上述方法产生;以及用于使材料层沉积到基底上的设备。
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公开(公告)号:CN104726849A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201410743709.0
申请日:2014-12-08
Applicant: 威科ALD有限公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/22 , C23C16/45529 , Y10T428/2495 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种用于在基底上沉积多个非同构层的方法以及通过该方法制造的产品。在基底上沉积多个非同构层。通过将金属原子吸附到基底来在基底上沉积无机层。将基底上的无机层暴露于含烃源前体以通过将含烃源前体吸附到无机层上来沉积第一含烃层。将基底上的第一含烃层暴露于反应物前体以增加基底上的第一含烃层的反应性,并且在基底上的第一含烃层上沉积第二含烃层。该过程可以重复以沉积多个层。第二含烃层可以具有较高烃含量,并且与第一含烃层相比可以以较高沉积速率沉积第二含烃层。
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公开(公告)号:CN104471104A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201380018205.6
申请日:2013-03-21
Applicant: 威科ALD有限公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45561 , C23C16/45589
Abstract: 描述了一个喷射模块组件(IMA),该喷射模块组件(IMA)沿着预定路径移动以将气体喷射到基板上并且排出过量的气体。该IMA可以用于处理因为各种原因而难于移动的基板,这些原因例如是基板的较大的尺寸和重量。IMA通过多个结构连接至一组或更多组联合臂,以提供用于喷射气体或排出过量气体的一个或更多个路径。IMA通过第一驱动机构(例如,线性马达)移动,联合臂独立地通过第二驱动机构(例如,滑轮和缆绳)操纵以减小由于联合臂的重量引起的力或力矩。使第一驱动机构和第二驱动机构的运动同步来移动IMA和联合臂。
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