公开(公告)号：CN104975273A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410698422.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 威科ALD有限公司

Inventor： 李相忍 ,  黄敞玩

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C07F5/068 ,  C07F7/1804 ,  C23C16/401 ,  C23C16/403 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578

Abstract: 通过以下步骤使材料沉积到基底上：将基底暴露于含金属前体以使含金属前体的金属原子吸附至基底。将注射有含金属前体的基底暴露于有机前体以通过有机前体与吸附至基底的金属原子的反应使材料层沉积。将基底暴露于还原剂的自由基以增加沉积在基底上的材料的反应性。还原剂的自由基通过用电极向气体例如氢气施加电压差而产生。可在将基底暴露于有机前体之前和/或之后将基底暴露于自由基。可将基底依次暴露于两种或更多种不同的有机前体。沉积在基底上的材料可以是金属醇盐，例如铝氧烷、锌氧烷、锆氧烷、钛氧烷或镍氧烷。本发明还公开了包含沉积到基底上的材料的产品，其通过上述方法产生；以及用于使材料层沉积到基底上的设备。

公开(公告)号：CN104726849A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410743709.0

申请日：2014-12-08

Applicant: 威科ALD有限公司

Inventor： 李相忍 ,  黄敞玩

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/22 ,  C23C16/45529 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供了一种用于在基底上沉积多个非同构层的方法以及通过该方法制造的产品。在基底上沉积多个非同构层。通过将金属原子吸附到基底来在基底上沉积无机层。将基底上的无机层暴露于含烃源前体以通过将含烃源前体吸附到无机层上来沉积第一含烃层。将基底上的第一含烃层暴露于反应物前体以增加基底上的第一含烃层的反应性，并且在基底上的第一含烃层上沉积第二含烃层。该过程可以重复以沉积多个层。第二含烃层可以具有较高烃含量，并且与第一含烃层相比可以以较高沉积速率沉积第二含烃层。