-
公开(公告)号：CN105580145B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480053076.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
Abstract: 说明一种光电子半导体芯片（1），其具有载体（5）和半导体本体（2），所述半导体本体具有被设置用于产生和/或接收辐射的有源区域（20），其中－半导体本体利用连接层（6）固定在载体上；－载体在垂直方向上在朝向半导体本体的第一主面（53）和背向半导体本体的第二主面（54）之间延伸，其中侧面（51）将第一主面和第二主面相互连接；－载体的侧面的第一区域（511）具有凹部（55）；－侧面的第二区域在垂直方向上在凹部和第二主面之间伸展；－半导体芯片具有绝缘层（4），所述绝缘层分别至少部分地覆盖半导体本体和第一区域；以及－第二区域不被绝缘层覆盖。此外说明一种半导体器件和一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
-
公开(公告)号：CN107078196A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053084.8
申请日：2015-09-24
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 , 欧司朗有限责任公司
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/642 , H01L2933/005
Abstract: 说明一种光电子半导体部件和一种用于制造光电子半导体部件的方法，该方法包括以下步骤：A）将至少一个半导体芯片（2）布置在载体（1）上，B）将电绝缘的光刻胶（3）施加到载体（1）的上侧（1a）和半导体芯片（2）上，C）利用加热步骤硬化光刻胶（3），D）通过曝光来结构化光刻胶（3），F）对光刻胶（3）进行显影，其中将光刻胶（3）至少从半导体芯片（2）的辐射通过面（2b）上去除，G）利用加热步骤另外地硬化光刻胶（3），和H）将导电接触层（4）施加到光刻胶（3）上，其中导电接触层（4）局部地具有与光刻胶（3）的侧面（3a）的一定间距（A），所述侧面朝向半导体芯片（2），其中朝向半导体芯片（2）的侧面（3a）局部裸露。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078192A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060152.3
申请日：2015-11-03
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L25/167 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/296 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明涉及一种光电子部件（10），光电子部件（10）具有复合主体（100），复合主体（100）包括模制主体（200）和光电子半导体芯片（300），光电子半导体芯片（300）嵌入在模制主体（200）中。导电通路（400）从复合主体（100）的上面（101）延伸穿过模制主体（200）至复合主体（100）的下面（102）。光电子半导体芯片（300）的上面（301）至少部分地保持不被模制主体（200）覆盖。光电子半导体芯片（300）具有在半导体芯片上面（301）上的第一电接触件（310）。复合主体（100）上面（101）被装备成具有第一上面金属化物（110），第一上面金属化物（110）将第一电接触件（310）以导电方式连接到通路（400）。光电子部件（10）具有上绝缘层（160），上绝缘层（160）延伸跨过第一上面金属化物（110）。光电子部件（10）还具有第二上面金属化物（120），第二上面金属化物（120）被布置成跨过上绝缘层（160）并且第二上面金属化物（120）由上绝缘层（160）而与第一上面金属化物（110）电绝缘。
-
公开(公告)号：CN108140641B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201680063156.1
申请日：2016-10-28
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/54 , G09F9/33
Abstract: 一种光电子部件包括载体和布置在载体的顶侧上的第一光电子半导体芯片。壳体材料布置在载体的顶侧之上。腔体形成在壳体材料中。第一光电子半导体芯片的顶侧布置在腔体中。在第一光电子半导体芯片的顶侧上的第一光电子半导体芯片的第一电气连接端面通过电气传导接合线连接至载体的顶侧上的第一接触表面。该接合线的第一区段布置在腔体中。该接合线的第二区段嵌入在壳体材料中。
-
公开(公告)号：CN108140641A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680063156.1
申请日：2016-10-28
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/54 , G09F9/33
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 一种光电子部件包括载体和布置在载体的顶侧上的第一光电子半导体芯片。壳体材料布置在载体的顶侧之上。腔体形成在壳体材料中。第一光电子半导体芯片的顶侧布置在腔体中。在第一光电子半导体芯片的顶侧上的第一光电子半导体芯片的第一电气连接端面通过电气传导接合线连接至载体的顶侧上的第一接触表面。该接合线的第一区段布置在腔体中。该接合线的第二区段嵌入在壳体材料中。
-
公开(公告)号：CN107078196B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201580053084.8
申请日：2015-09-24
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 , 欧司朗有限责任公司
Abstract: 说明一种光电子半导体部件和一种用于制造光电子半导体部件的方法，该方法包括以下步骤：A）将至少一个半导体芯片（2）布置在载体（1）上，B）将电绝缘的光刻胶（3）施加到载体（1）的上侧（1a）和半导体芯片（2）上，C）利用加热步骤硬化光刻胶（3），D）通过曝光来结构化光刻胶（3），F）对光刻胶（3）进行显影，其中将光刻胶（3）至少从半导体芯片（2）的辐射通过面（2b）上去除，G）利用加热步骤另外地硬化光刻胶（3），和H）将导电接触层（4）施加到光刻胶（3）上，其中导电接触层（4）局部地具有与光刻胶（3）的侧面（3a）的一定间距（A），所述侧面朝向半导体芯片（2），其中朝向半导体芯片（2）的侧面（3a）局部裸露。
-
公开(公告)号：CN105580145A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480053076.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
Abstract: 说明一种光电子半导体芯片（1），其具有载体（5）和半导体本体（2），所述半导体本体具有被设置用于产生和/或接收辐射的有源区域（20），其中半导体本体利用连接层（6）固定在载体上；载体在垂直方向上在朝向半导体本体的第一主面（53）和背向半导体本体的第二主面（54）之间延伸，其中侧面（51）将第一主面和第二主面相互连接；载体的侧面的第一区域（511）具有凹部（55）；侧面的第二区域在垂直方向上在凹部和第二主面之间伸展；半导体芯片具有绝缘层（4），所述绝缘层分别至少部分地覆盖半导体本体和第一区域；以及第二区域不被绝缘层覆盖。此外说明一种半导体器件和一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.031 seconds)
