公开(公告)号：CN107112393B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201580061260.2

申请日：2015-11-10

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： J.米勒 ,  C.赫斯 ,  J.登内马克 ,  J.科勒

IPC: H01L33/42

Abstract: 本发明涉及一种用于产生光电子元件的方法、一种用于测试元件的方法以及光电子元件，其中在引导平面（19）中引导由有源区（5、6）产生的电磁辐射，其中大体上在引导平面（19）中输出电磁辐射，其中有源区（5、6）相对于引导平面（19）在侧面输出杂散辐射（12），其中电接触面（18）被提供，其中接触面（18）被布置在引导平面的外面，其中接触面（18）由至少部分地用导电层（9）覆盖的表面（8）形成，其中表面（9）具有倾斜的局部面（15），其中导电层（9）在接触面（18）的倾斜面的至少子集处如此薄以致电磁杂散辐射（12）经由倾斜面（15）的子集离开。

公开(公告)号：CN107112393A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061260.2

申请日：2015-11-10

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： J.米勒 ,  C.赫斯 ,  J.登内马克 ,  J.科勒

IPC: H01L33/42

Abstract: 本发明涉及一种用于产生光电子元件的方法、一种用于测试元件的方法以及光电子元件，其中在引导平面（19）中引导由有源区（5、6）产生的电磁辐射，其中大体上在引导平面（19）中输出电磁辐射，其中有源区（5、6）相对于引导平面（19）在侧面输出杂散辐射（12），其中电接触面（18）被提供，其中接触面（18）被布置在引导平面的外面，其中接触面（18）由至少部分地用导电层（9）覆盖的表面（8）形成，其中表面（9）具有倾斜的局部面（15），其中导电层（9）在接触面（18）的倾斜面的至少子集处如此薄以致电磁杂散辐射（12）经由倾斜面（15）的子集离开。