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公开(公告)号：CN109308999B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201811145352.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 大连芯冠科技有限公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种工艺流程简单、成本低、效率高的选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法，按照如下步骤进行：在基片上制备介质层；在介质层上制备刻蚀牺牲层；去除刻蚀牺牲层的部分区域至介质层界面，所述部分区域为多场板台阶最底层的正投影面积；以刻蚀牺牲层为掩膜对介质层进行刻蚀，刻蚀至多场板台阶的一个台阶深度；只对刻蚀牺牲层进行刻蚀，横向刻蚀至多场板台阶的一个台阶长度；判断台阶数量是否达到多场板结构要求，否，返回d步骤；是，向下进行；去除剩余的刻蚀牺牲层；在多场板台阶处制备多场板。
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公开(公告)号：CN109308999A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811145352.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 大连芯冠科技有限公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种工艺流程简单、成本低、效率高的选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法，按照如下步骤进行：在基片上制备介质层；在介质层上制备刻蚀牺牲层；去除刻蚀牺牲层的部分区域至介质层界面，所述部分区域为多场板台阶最底层的正投影面积；以刻蚀牺牲层为掩膜对介质层进行刻蚀，刻蚀至多场板台阶的一个台阶深度；只对刻蚀牺牲层进行刻蚀，横向刻蚀至多场板台阶的一个台阶长度；判断台阶数量是否达到多场板结构要求，否，返回d步骤；是，向下进行；去除剩余的刻蚀牺牲层；在多场板台阶处制备多场板。
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公开(公告)号：CN108803261A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810583861.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 大连芯冠科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种方便正胶剥离的金属图形加工方法，有在基片上匀正胶、前烘、曝光、显影、制备金属层及剥离步骤，所述曝光与显影之间对光刻胶表面加热处理0.5~30分钟，使光刻胶表面与底面温差为5~20℃。相对高温的上层光刻胶具有较低的显影液溶解速度，使得显影后胶条表现出如同负胶而产生的上宽下窄的倒梯形结构，金属会在胶边缘的位置断开，剥离溶剂容易穿过裂缝溶解光刻胶，使得胶上金属脱离，实现金属剥离。解决了负胶易残留及双层正胶成本高的问题，可提高剥离后基片表面的洁净度，降低金属图形制作成本。
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公开(公告)号：CN109585326B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201811500627.8
申请日：2018-12-10
Applicant: 大连芯冠科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开一种工艺流程简单、节约成本及效率高的氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，依次按照如下步骤进行：将势垒层表面分出垂直漏电流测试区域及霍尔效应测试区域；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域全部暴露，霍尔效应测试区域正方形测试单元间的隔离区暴露；进行第一次刻蚀，刻蚀深及沟道层；去胶；利用第一荫罩板进行电极蒸镀或溅射，所述第一荫罩板上均布有第一电极沉积通孔；垂直漏电流测试；欧姆接触退火；霍尔效应测试。
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公开(公告)号：CN109585326A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811500627.8
申请日：2018-12-10
Applicant: 大连芯冠科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开一种工艺流程简单、节约成本及效率高的氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，依次按照如下步骤进行：将势垒层表面分出垂直漏电流测试区域及霍尔效应测试区域；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域全部暴露，霍尔效应测试区域正方形测试单元间的隔离区暴露；进行第一次刻蚀，刻蚀深及沟道层；去胶；利用第一荫罩板进行电极蒸镀或溅射，所述第一荫罩板上均布有第一电极沉积通孔；垂直漏电流测试；欧姆接触退火；霍尔效应测试。
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