公开(公告)号：CN109346513B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201811145381.7

申请日：2018-09-29

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 程万希 ,  梁辉南 ,  姜仁波 ,  李强 ,  王荣华 ,  高珺

IPC: H01L29/207 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层，有衬底、AlN缓冲层、AlxGa1‑xN缓冲层及GaN层，AlN缓冲层上表面有孔洞，所述孔洞内插接有MgxN纳米柱。制备方法依次按照如下步骤进行：在衬底上生长AlN缓冲层；控制反应室的压力为50~150mbar，以150~500 sccm的流量向反应室内通入金属镁元素5~30 s；依次生长AlxGa1‑xN缓冲层及GaN层。

公开(公告)号：CN111312585A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010147206.2

申请日：2020-03-05

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 程万希 ,  梁辉南 ,  姜仁波 ,  李强 ,  王荣华 ,  高珺

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，主要运用在第三代化合物半导体及功率器件，具体是一种低位错密度氮化物的外延层生长方法。所述方法在缓冲层AlN和缓冲层AlxGa1-xN的生长过程中通入卤化物，HCl、HBr、CCl4或CBr4。本发明的制备方法避免了在气相中形成AlN颗粒，从而来提高了Al原子的薄膜表面迁移率。

公开(公告)号：CN113990941A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111255288.3

申请日：2021-10-27

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 程万希 ,  梁辉南 ,  王荣华

IPC: H01L29/267 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明涉及一种氮化镓异质外延层，由下至上包括硅衬底、缓冲层和GaN层，其特征在于：还包括设置在所述硅衬底和所述缓冲层之间的厚度为500‑2000nm的Si3N4层，所述缓冲层的组分为AlxGa1‑xN，其中0.05≤x≤0.45。该外延层的制备方法为在硅衬底上采用金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD法或等离子体增强化学气相沉积PECVD法，以硅烷或氯硅烷与NH3为原料并控制生长工艺参数生长Si3N4层，之后继续生长AlxGa1‑xN缓冲层和GaN层。该外延层只需要相对比较薄的GaN层就可以达到目前功率器件的性能，提高整体外延层的晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、高耐压及低漏电流等电学特性。

公开(公告)号：CN109346513A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811145381.7

申请日：2018-09-29

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 程万希 ,  梁辉南 ,  姜仁波 ,  李强 ,  王荣华 ,  高珺

IPC: H01L29/207 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层，有衬底、AlN缓冲层、AlxGa1-xN缓冲层及GaN层，AlN缓冲层上表面有孔洞，所述孔洞内插接有MgxN纳米柱。制备方法依次按照如下步骤进行：在衬底上生长AlN缓冲层；控制反应室的压力为50~150mbar，以150~500 sccm的流量向反应室内通入金属镁元素5~30 s；依次生长AlxGa1-xN缓冲层及GaN层。

公开(公告)号：CN109585326B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201811500627.8

申请日：2018-12-10

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 王荣华 ,  任永硕 ,  程万希 ,  宋书宽 ,  高珺 ,  梁辉南

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开一种工艺流程简单、节约成本及效率高的氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，依次按照如下步骤进行：将势垒层表面分出垂直漏电流测试区域及霍尔效应测试区域；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域全部暴露，霍尔效应测试区域正方形测试单元间的隔离区暴露；进行第一次刻蚀，刻蚀深及沟道层；去胶；利用第一荫罩板进行电极蒸镀或溅射，所述第一荫罩板上均布有第一电极沉积通孔；垂直漏电流测试；欧姆接触退火；霍尔效应测试。

公开(公告)号：CN110246890A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910513344.5

申请日：2019-06-14

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 程万希 ,  梁辉南 ,  姜仁波 ,  李强 ,  王荣华 ,  高珺

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开一种可减少漏电通道的HEMT器件的外延结构，包括硅衬底及依次形成的AlN缓冲层、AlxGa1-xN缓冲层及GaN层，在所述硅衬底和AlN缓冲层之间有厚度为10~100nm的含碳化硅多晶混合物的过渡层，所述含碳化硅多晶混合物的过渡层按照如下方法制备：将硅衬底置于MOCVD机台，在900~1100℃条件下通入硅源气体，流量为20~60sccm，生长时间为1~30s，之后在保持所述硅源输入的同时以流量为200~400sccm通入碳源，生长时间为1~10mins。

公开(公告)号：CN109585326A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811500627.8

申请日：2018-12-10

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 王荣华 ,  任永硕 ,  程万希 ,  宋书宽 ,  高珺 ,  梁辉南

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开一种工艺流程简单、节约成本及效率高的氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，依次按照如下步骤进行：将势垒层表面分出垂直漏电流测试区域及霍尔效应测试区域；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域全部暴露，霍尔效应测试区域正方形测试单元间的隔离区暴露；进行第一次刻蚀，刻蚀深及沟道层；去胶；利用第一荫罩板进行电极蒸镀或溅射，所述第一荫罩板上均布有第一电极沉积通孔；垂直漏电流测试；欧姆接触退火；霍尔效应测试。

公开(公告)号：CN216937375U

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202220725955.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 李强 ,  程万希 ,  梁辉南 ,  王荣华 ,  姜仁波

IPC: B08B3/08 ,  B08B1/00 ,  F26B21/00

Abstract: 本实用新型涉及一种半自动半导体设备部件清洗机，包括机架、设置在机架上的第一清洗区和第二清洗区，第一清洗区包括第一药液槽单元和第一平台，第二清洗区包括第二平台、第二药液槽单元、吹干槽和第三平台，清洗机还包括活动设置在机架上且位于第二清洗区的机械手，机械手用于抓取或释放部件。清洗时，操作人员将部件置于第一药液槽单元的药液槽内浸泡，然后拿出置于第一平台上擦拭，擦拭完后的部件置于第二平台上，然后通过机械手抓取部件置于第二药液槽单元的药液槽内浸泡、吹干槽内吹干，然后置于第三平台上待取出，手动操作和自动操作相结合，互不干扰，大大提升清洗效率，可同时进行2批次以上部件的清洗，同时减少磕碰风险及部件污染风险。