公开(公告)号：CN107301966B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201710547472.2

申请日：2017-07-06

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 褚金奎 ,  康维东 ,  曾祥伟 ,  张然 ,  关乐 ,  郑永广 ,  刘泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种硅片掰片辅助装置，包括：带有夹持机构的操作台、带有刻划钢尺、沿所述操作台长度方向移动的压紧机构以及位置可调的压力隔断组件；工作过程中，使用所述的夹持机构夹持待处理的硅片，控制所述的压紧机构移动至硅片上方；压紧机构下端的刻划钢尺压紧硅片，沿钢尺进行硅片的刻划动作；刻划后，钢尺置于所述压力隔断组件上方，对齐刻划痕和压力隔断组件，使用外力，沿所述刻划痕掰断硅片。

公开(公告)号：CN107301966A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710547472.2

申请日：2017-07-06

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 褚金奎 ,  康维东 ,  曾祥伟 ,  张然 ,  关乐 ,  郑永广 ,  刘泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种硅片掰片辅助装置，包括：带有夹持机构的操作台、带有刻划钢尺、沿所述操作台长度方向移动的压紧机构以及位置可调的压力隔断组件；工作过程中，使用所述的夹持机构夹持待处理的硅片，控制所述的压紧机构移动至硅片上方；压紧机构下端的刻划钢尺压紧硅片，沿钢尺进行硅片的刻划动作；刻划后，钢尺置于所述压力隔断组件上方，对齐刻划痕和压力隔断组件，使用外力，沿所述刻划痕掰断硅片。

公开(公告)号：CN107290813A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710550964.7

申请日：2017-07-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 褚金奎 ,  康维东 ,  曾祥伟 ,  张然 ,  关乐 ,  樊元义

IPC: G02B5/18 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B5/1847 ,  G02B5/1857 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明公开了一种中红外双层纳米金属光栅的制备方法及利用该方法制备获得的中红外双层纳米金属光栅。包括如下步骤：制作压印模板，采用热压印工艺复制软模板，将镍硬模板上纳米线栅结构转移复制到软模板上，得到与原镍硬模板结构互补的纳米线栅结构；提供一作为光栅基底的透红外材料；采用滴胶旋涂方式在基底表面旋涂光栅压印胶介质层；转移纳米图案，采用紫外曝光纳米压印工艺，将前述软模板压印到压印胶介质层，使纳米线栅结构转移到光栅压印胶介质层上；利用垂直热蒸镀工艺在上述光栅压印胶介质层纳米线栅结构凸起和凹槽部位沉积金属，完成中红外双层纳米金属光栅的制备。