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公开(公告)号：CN113088912B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110364458.5
申请日：2021-04-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善TaOx基阻变存储器可靠性的硅掺杂磁控溅射工艺，包括以下步骤：(1)清洗SiO2/Si衬底，(2)在SiO2/Si衬底上采用磁控溅射方法镀制下电极TiN薄膜，(3)在下电极TiN薄膜上采用磁控溅射沉积TaOx薄膜并掺杂Si，(4)把经步骤3溅射沉积的Si掺杂TaOx薄膜进行退火，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在TaOx薄膜中掺杂Si，能有效的调节TaOx薄膜中缺陷结构，增加了氧空位浓度，降低了器件的操作电压，增大了记忆窗口，提高器件的可靠性，且工艺流程简单，薄膜沉积速度快，可以为阻变存储器的大规模推广应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN112485529B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011343909.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域，一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法，其中，测试方法，包括以下步骤：(1)自制测量夹具，(2)连接阻抗分析仪与测试探针台，(3)设置阻抗分析仪测量环境，(4)忆阻器件低阻态阻抗谱的测试，(5)忆阻器件高阻态阻抗谱的测试。拟合方法，包括以下步骤：(1)确定忆阻器件阻抗谱的等效电路模型，(2)获得忆阻器件阻抗谱等效电路中各元件参数，(3)导出Zview软件中的原始数据与拟合数据到origin中作图。本发明可以快速获得忆阻器件的阻抗谱，为忆阻器件薄膜微结构的研究提供了测试与分析手段，可丰富忆阻系统物理机制理论及开关机制的研究。
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公开(公告)号：CN112485529A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011343909.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域，一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法，其中，测试方法，包括以下步骤：(1)自制测量夹具，(2)连接阻抗分析仪与测试探针台，(3)设置阻抗分析仪测量环境，(4)忆阻器件低阻态阻抗谱的测试，(5)忆阻器件高阻态阻抗谱的测试。拟合方法，包括以下步骤：(1)确定忆阻器件阻抗谱的等效电路模型，(2)获得忆阻器件阻抗谱等效电路中各元件参数，(3)导出Zview软件中的原始数据与拟合数据到origin中作图。本发明可以快速获得忆阻器件的阻抗谱，为忆阻器件薄膜微结构的研究提供了测试与分析手段，可丰富忆阻系统物理机制理论及开关机制的研究。
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公开(公告)号：CN113088912A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110364458.5
申请日：2021-04-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善TaOx基阻变存储器可靠性的硅掺杂磁控溅射工艺，包括以下步骤：(1)清洗SiO2/Si衬底，(2)在SiO2/Si衬底上采用磁控溅射方法镀制下电极TiN薄膜，(3)在下电极TiN薄膜上采用磁控溅射沉积TaOx薄膜并掺杂Si，(4)把经步骤3溅射沉积的Si掺杂TaOx薄膜进行退火，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在TaOx薄膜中掺杂Si，能有效的调节TaOx薄膜中缺陷结构，增加了氧空位浓度，降低了器件的操作电压，增大了记忆窗口，提高器件的可靠性，且工艺流程简单，薄膜沉积速度快，可以为阻变存储器的大规模推广应用提供技术支持。
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