公开(公告)号：CN112701220A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011145821.6

申请日：2020-10-23

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王德君 ,  白娇 ,  谢威威 ,  周大雨 ,  张伟奇

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：(1)对商业用Pt/Ti/SiO2/Si衬底进行清洗，(2)利用下电极掩模版沉积金属Hf缓冲层薄膜的制作，(3)利用下电极掩模版沉积HfO2阻变功能层薄膜的制作，(4)HfO2阻变功能层薄膜进行氮气退火处理，(5)利用上电极掩模版沉积金属上电极层薄膜的制作，最终完成带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器(TiN/HfO2/Hf/Pt)制作。本发明利用磁控溅射制作了一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器，结构简单，重复性高，降低了忆阻器的制作成本，具有科学研究价值，有利于第四种无源电路元件的推广与应用。

公开(公告)号：CN112701220B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202011145821.6

申请日：2020-10-23

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王德君 ,  白娇 ,  谢威威 ,  周大雨 ,  张伟奇

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：(1)对商业用Pt/Ti/SiO2/Si衬底进行清洗，(2)利用下电极掩模版沉积金属Hf缓冲层薄膜的制作，(3)利用下电极掩模版沉积HfO2阻变功能层薄膜的制作，(4)HfO2阻变功能层薄膜进行氮气退火处理，(5)利用上电极掩模版沉积金属上电极层薄膜的制作，最终完成带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器(TiN/HfO2/Hf/Pt)制作。本发明利用磁控溅射制作了一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器，结构简单，重复性高，降低了忆阻器的制作成本，具有科学研究价值，有利于第四种无源电路元件的推广与应用。