公开(公告)号：CN116496102A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310466106.X

申请日：2023-04-27

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 周大雨 ,  李蕊 ,  孙纳纳 ,  王梦晓 ,  习娟

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/468 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B35/622 ,  C04B41/90 ,  H10N30/092 ,  H10N30/20 ,  H10N30/088

Abstract: 一种基于冷冻铸造法制备压电陶瓷纤维复合材料驱动器的方法，利用冷冻铸造技术，以陶瓷粉末为原料，加入添加剂、分散剂、粘结剂和助烧剂，配制成陶瓷浆料，经冷冻、真空干燥、烧结后得到片层状陶瓷；将其在真空下浸渍填充聚合物，获得陶瓷/聚合物压电纤维复合物；利用磁控溅射、3D打印等技术，将材料双面镀上叉指型电极，得到叉指型压电纤维复合材料器件。本发明采用冷冻铸造技术，打破传统制备压电纤维复合材料的局限性，层状结构更加致密，层间距能够达到微米级，提高电子器件的机电耦合性和机电转换效率；同时简化MFC制备工艺，提升柔塑性和能量转化效率；适用于多种压电陶瓷材料，工艺流程简单，可控性强，成本低、绿色环保，适合于批量生产多种尺寸类型的柔性驱动器、传感器、减震器。

公开(公告)号：CN113745332A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110968495.7

申请日：2021-08-23

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 周大雨 ,  隋金洋 ,  孙纳纳 ,  习娟

IPC: H01L29/778

Abstract: 一种基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管，其自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；势垒层包括非铁电性势垒层、铁电性Ⅲ族氮化物势垒层，铁电性Ⅲ族氮化物势垒层在非铁电性势垒层和钝化层之间。缓冲层和势垒层形成禁带宽度不同的异质结，缓冲层禁带宽度小于势垒层禁带宽度；缓冲层上表面的两端设有源电极和漏电极；铁电性Ⅲ族氮化物势垒层上设有栅电极，栅电极嵌套在钝化层中。本发明缓冲层和势垒层均采用Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，二者制备工艺兼容，各层薄膜生长质量高、薄膜间界面特性好；同时Ⅲ族氮化物铁电材料的电滞回线矩形度高、剩余极化强度大，器件关闭和导通状态的保持时间长，服役可靠性更高。