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公开(公告)号：CN104685774B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201380051233.8
申请日：2013-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , H02M1/088 , Y02B70/1475
Abstract: DC‑DC转换器具备：变压器；开关电路，其设置于上述变压器的初级侧；以及整流电路，其设置于上述变压器的次级侧。上述整流电路包含第1整流部，上述第1整流部是第1晶体管和第2晶体管的串联连接体，上述第2晶体管的第1电极连接到上述第1晶体管的第2电极。上述第1晶体管和第2晶体管各自具有正向连接到第2电极和第1电极间的寄生二极管，上述第1晶体管的第1电极和第2电极间的耐压高于上述第2晶体管的第1电极和第2电极间的耐压。
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公开(公告)号：CN106559063A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610682174.X
申请日：2016-08-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/687 , H02M1/088
CPC classification number: H02M1/088 , G11C5/145 , H02M3/158 , H02M7/537 , H03K17/102 , H03K17/164 , H03K17/687
Abstract: 提供性能的波动小的半导体装置。升压电路具备并联连接的多个开关电路，各开关电路包含第1晶体管～第3晶体管(Q4、Q2、Q3)和电阻元件(R1)。第1晶体管(Q4)、电阻元件(R1)以及第2晶体管(Q2)串联连接在第1节点(N1)和第2节点(N2)之间，第3晶体管(Q3)连接到第1晶体管(Q4)的源极与第2节点(N2)之间。第2晶体管(Q2)的电导Gm(S)设定在1≤Gm≤1000的范围内，且电阻元件(R1)的电阻值r(Ω)设定在7×Gm‑1.6≤r≤170×Gm‑1的范围内。由于是使第2晶体管(Q2)导通而使得高耐压的晶体管(Q4)导通，因此，导通转变时间的波动变小。
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公开(公告)号：CN106300957A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610457033.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M1/4233 , H02M7/487 , Y02B70/126 , Y02P80/112 , H02M1/4216 , H02M7/06
Abstract: 功率因数改善电路(1)具备：线圈(11)和MOSFET(21、22)，其对输入电压进行升压，生成升压电压；电容器(41)，其一端连接到输出端子(42)，其一端连接到中间节点(Nm)，另一端连接到输出端子(54)。当在第1动作模式中输入正电压时，将升压电压施加到电容器(41)的两端，当在第1动作模式中输入负电压时，将升压电压施加到电容器(42)的两端，在第2动作模式中，将升压电压施加到串联连接的电容器(41、42)的两端。由此，提供能够高效率地适应大范围的输入电压的功率因数改善电路。(53)，另一端连接到中间节点(Nm)；以及电容器
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公开(公告)号：CN103036466B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210368233.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02M1/44 , B60L11/18
CPC classification number: H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M3/1588 , H02M7/5387 , H02M2001/0051 , Y02B70/1466 , Y02T10/7258
Abstract: 本发明提供一种切换式电源装置，该切换式电源装置配备有：高耐受电压第一晶体管，其第一电极连接到第一节点；低耐受电压第二晶体管，其第一电极连接到所述第一晶体管的第二电极，以及其第二电极连接到第二节点；以及驱动电路。所述第一和第二晶体管中的每一个具有在正向方向上连接在所述第二和第一电极之间的寄生二极管。在电流要从所述第一节点流动到所述第二节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一和第二晶体管，并且在电流要从所述第二节点流动到所述第一节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一晶体管而关断所述第二晶体管。
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公开(公告)号：CN103190004A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052596.4
申请日：2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102857696A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210311473.4
申请日：2010-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及拍摄条件决定装置、拍摄条件决定方法和不均校正系统。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值（或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值）。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。
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公开(公告)号：CN102142224A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110033393.2
申请日：2011-01-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在补正数据存储部中，存储补正数据，该补正数据包含亮度不均量的偏差值和分组信息，该亮度不均量的偏差值是对应于检查用图像数据的图像显示于显示画面中时的各像素的亮度值或各像素群的亮度值与对应于上述检查用图像数据的该各像素或该各像素群的合理亮度值之差；该分组信息是根据各亮度不均区域中的亮度不均的程度，将对应于各亮度不均区域的补正区域分组的信息。而且，当使对应于显示用图像数据的图像显示于上述显示画面中时，空间分散处理部根据上述补正数据中包含的对该各补正区域的分组结果，决定上述补正区域中包含的像素中使灰度值变化的像素。
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公开(公告)号：CN101425541B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200810184257.1
申请日：2008-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。
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公开(公告)号：CN100419908C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410038651.6
申请日：2004-05-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 一种用于驱动包含存储阵列的半导体存储器件的方法，此存储阵列具有多个排列成行和列的存储单元。各个存储单元包括经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的作为扩散区的源和漏、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元。此方法包含下列步骤：选择一个连接到待要选择的存储单元的栅电极的行线；将连接到待要选择的存储单元的源的第一列线接地；以及将第一电位施加到第二列线，同时将第二电位施加到第三列线。
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公开(公告)号：CN100380683C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03812485.8
申请日：2003-05-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L21/28282 , H01L27/105 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L27/1203 , H01L29/66833 , H01L29/7923
Abstract: 本发明提供一种IC卡(集成电路卡)。该IC卡包括由多个存储元件构成的数据存储部(503)。该存储元件包括：半导体衬底、设置于半导体衬底内的阱区或配置于绝缘体上的半导体膜；在半导体衬底上、设置于半导体衬底内的阱区上或配置于绝缘体上的半导体膜上所形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上所形成的单一的栅电极；在单一的栅电极侧壁的两侧所形成的2个存储功能体；配置于单一的栅电极下的沟道区；以及配置于上述沟道区的两侧的扩散层区。由此，通过安装使用了可进一步微细化的存储元件的存储器，提供低成本的IC卡。
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