-
公开(公告)号：CN103326621B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310087700.4
申请日：2013-03-19
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/02008 , G05F1/67 , Y02E10/58
Abstract: 本发明涉及光发电装置、该光发电装置中的最大功率点跟踪控制方法、以及具备该光发电装置的移动体。光发电装置，具备：光发电模块，串联连接有多个光发电元件的串联部被并联连接多个，多个所述串联部中的连接于同一串联行的所述光发电元件相互并联连接；以及跟踪控制装置，对所述光发电模块的输出进行最大功率点跟踪控制。所述光发电模块具备：温度传感器，对作为所述光发电模块工作时的面板温度的实际面板温度进行检测。
-
公开(公告)号：CN103095142B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210428192.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M3/3353 , B60L8/003 , B60L58/20 , B60L2210/12 , B60L2210/14 , B60L2240/526 , B60L2240/527 , H02J7/0054 , H02J7/022 , H02J2007/0059 , H02M7/30 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7083 , Y02T10/7225 , Y02T10/7233
Abstract: 本发明涉及DC-DC转换器、太阳能充电系统及可移动体。该DC/DC转换器包括第一DC/DC转换器以及用于实施从第一DC/DC转换器提供的电压的DC/DC转换的第二DC/DC转换器。第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器之一是固定因数DC/DC转换器，以及第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器中的另一个是可变因数DC/DC转换器。
-
公开(公告)号：CN103022185A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353873.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L31/02021 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及光伏发电模块和光伏发电模块阵列，本发明的光伏发电模块具备：多个光伏发电元件经由连接点串联连接的群发电部；连接于所述群发电部构成的串联电路的两端的一对输出端子；以及与从所述连接点中特别指定的特别指定连接点连接的特别指定端子。
-
公开(公告)号：CN102963260A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210309706.7
申请日：2012-08-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: B60L8/00
CPC classification number: B60L1/003 , B60L1/06 , B60L1/16 , B60L3/0046 , B60L3/04 , B60L8/003 , B60L11/1859 , B60L11/1868 , B60L15/007 , B60L2200/26 , B60L2210/10 , B60L2240/34 , B60L2240/36 , B60L2240/547 , B60L2240/549 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7011 , Y02T10/7066 , Y02T10/7083 , Y02T10/7216 , Y02T90/16
Abstract: 本发明涉及一种车辆驱动装置、车辆充电系统以及汽车。其中，车辆驱动装置(1a)中，第1电池管理部(104)根据来自外部的指示信号，将与第1电池(103)的充放电控制相关的信号输出到外部。
-
公开(公告)号：CN102339636A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110198320.9
申请日：2011-07-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847647A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010126413.6
申请日：2010-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , H01L45/00
CPC classification number: H01L27/249 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1616
Abstract: 本发明提供具备大容量且能够廉价地制作的三维存储器单元阵列的非易失性半导体存储装置。在具备可变电阻元件的双端子型存储器单元的三维存储器单元阵列(1)中，在Z方向上邻接的存储器单元的各一端与分别在X及Y方向上配置多个，且在Z方向上延伸的中间选择线的一个连接，Z方向的相同位置的各存储器单元的另一端与在Z方向上配置多个的第三选择线的一个共通地连接，选择晶体管分别在X及Y方向上配置多个的二维阵列(2)与存储器单元阵列(1)在Z方向上邻接，在X方向上邻接的多个选择晶体管的栅与第一选择线共通地连接，在Y方向上邻接的多个选择晶体管的漏极与第二选择线共通地连接，多个选择晶体管的源极与中间选择线个别地连接，第一选择线与X解码器连接，第二选择线与Y解码器连接，第三选择线与Z解码器连接。
-
公开(公告)号：CN102227778B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980147210.0
申请日：2009-11-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C7/1006 , G11C8/10 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2213/79
Abstract: 提供一边能够以位单位进行改写，一边可实现存储器单元的寿命的延长的非易失性半导体存储装置。在命令信息表示写入的情况下，比较部（37）对在对象存储器单元中写入的已写入数据和写入对象数据进行比较，将比较结果赋予到写入/读出控制部（40），在比较结果相同的情况下，所述写入/读出控制部（40）对译码器部（51A、51B、53）不赋予写入指示，在所述比较结果相异的情况下，所述写入/读出控制部（40）对所述译码器部赋予对对象存储器单元将写入对象数据写入的写入指示。
-
公开(公告)号：CN102194524B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110064421.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人金泽大学
IPC: G11C16/24
Abstract: 本发明提供一种能抑制漏电流并能进行稳定的高速存储器动作的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置（101）设有：位线电压调整电路（25），针对位线的每一条，将选择位线和非选择位线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位；以及数据线电压调整电路（27、28），针对数据线的每一条，将选择数据线和非选择数据线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位。各电压调整电路（25、27、28）分别包括运算放大器和晶体管，对该运算放大器的非反相输入端子输入存储器动作所需的电压，并且，该运算放大器的反相输入端子连接到位线或数据线，由此，该位线或数据线的电位固定于该运算放大器的非反相输入端子的电位。
-
公开(公告)号：CN102857696A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210311473.4
申请日：2010-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及拍摄条件决定装置、拍摄条件决定方法和不均校正系统。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值（或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值）。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。
-
公开(公告)号：CN102142224A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110033393.2
申请日：2011-01-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在补正数据存储部中，存储补正数据，该补正数据包含亮度不均量的偏差值和分组信息，该亮度不均量的偏差值是对应于检查用图像数据的图像显示于显示画面中时的各像素的亮度值或各像素群的亮度值与对应于上述检查用图像数据的该各像素或该各像素群的合理亮度值之差；该分组信息是根据各亮度不均区域中的亮度不均的程度，将对应于各亮度不均区域的补正区域分组的信息。而且，当使对应于显示用图像数据的图像显示于上述显示画面中时，空间分散处理部根据上述补正数据中包含的对该各补正区域的分组结果，决定上述补正区域中包含的像素中使灰度值变化的像素。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.027 seconds)
