公开(公告)号：CN1078014C

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：CN95108531.X

申请日：1995-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  高山彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底，其上面具有由减压化学汽相淀积制备的非晶硅膜，其特征在于利用结晶硅膜来设置薄膜晶体管，而该结晶硅膜是通过在含有选择地引入的金属元素的区域周围，平行于衬底表面进行晶体生长而获得的，通过选择地引入金属元素而获得的区域能够加速非晶硅膜的晶化，以后对该区域加热。

公开(公告)号：CN1041148C

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN95104503.2

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  高山彻

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B13/22 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026

Abstract: 具有绝缘表面的衬底中，其绝缘表面上淀积非晶半导体膜，用发射加热光射线的热源局部加热非晶半导体膜中的预定被加热部分，移动热源或衬底使被加部分移动加热。因而，非晶半导体膜被顺序热处理和多晶化。用加热光射线辐射用邻近被加热部分的已经多晶化部分作为籽晶进行顺序多晶化处理。因此可按被加热部分的移动方向控制晶粒生长方向一致。

公开(公告)号：CN1126374A

公开(公告)日：1996-07-10

申请号：CN95108531.X

申请日：1995-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  高山彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底，其上面具有由减压化学汽相淀积制备的非晶硅膜，其特征在于利用结晶硅膜来设置薄膜晶体管，而该结晶硅膜是通过在含有选择地引入的金属元素的区域周围，平行于衬底表面进行晶体生长而获得的，通过选择地引入金属元素而获得的区域能够加速非晶硅膜的晶化，以后对该区域加热。

公开(公告)号：CN1111816A

公开(公告)日：1995-11-15

申请号：CN95104503.2

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  高山彻

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B13/22 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026

Abstract: 具有绝缘表面的衬底中，其绝缘表面上淀积非晶半导体膜，用发射加热光射线的热源局部加热非晶半导体膜中的预定被加热部分，移动热源或衬底使被加部分移动加热。因而，非晶半导体膜被顺序处理和多晶化。用加热光射线辐射用邻近被加热部分的已经多晶化部分作为籽晶进行顺序多晶化处理。因此可按被加热部分的移动方向控制晶粒生长方向一致。

公开(公告)号：CN1045688C

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：CN94112771.0

申请日：1994-12-27

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  森田达夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 本发明之半导体膜的制造方法，包含：(a)于表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；(b)将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；(c)借助于加热该非晶半导体膜使之结晶化，而从该非晶半导体膜得到结晶性半导体膜的工艺步骤；(d)使该结晶性半导体膜的表面氧化，该结晶性半导体膜的表面形成一含有可促进结晶化的物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。

公开(公告)号：CN1119790A

公开(公告)日：1996-04-03

申请号：CN95106423.1

申请日：1995-06-07

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明的结晶硅膜系于在基板上形成一受导入有供助长结晶化之触媒元素的非晶硅膜之后，使其在一因热处理而会产生结晶核之时期的一部分或整个时期当中，产生结晶核，然后，在于防止产生结晶核之状态下，进行结晶生长。结果，可以获得一结晶粒之尺寸具有均一性的良质硅膜。

公开(公告)号：CN1109213A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94112771.0

申请日：1994-12-27

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  森田达夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 本发明之半导体膜的制造方法，包含：(a)于表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；(b)将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；(c)借助于加热该非晶半导体膜使之结晶化，而从该非晶半导体膜得到结晶性半导体膜的工艺步骤；(d)使该结晶性半导体膜的表面氧化，该结晶性半导体膜的表面形成一含有可促进结晶化的物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。

公开(公告)号：CN1055791C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN95106423.1

申请日：1995-06-07

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明的结晶硅膜系于在基板上形成一受导入有供助长结晶化之触媒元素的非晶硅膜之后，使其在一因热处理而会产生结晶核之时期的一部分或整个时期当中，产生结晶核，然后，在于防止产生结晶核之状态下，进行结晶生长。结果，可以获得一结晶粒之尺寸具有均一性的良质硅膜。

公开(公告)号：CN1112287A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN94120769.2

申请日：1994-12-20

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  山元良高 ,  三谷康弘 ,  野村克己 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 将促进晶化的催化元素导入非晶硅膜中，在将已导入催化元素的非晶硅膜刻成图形后，进行晶化热处理。于是，该导入的催化元素只能有效地在岛状非晶硅膜内扩散。其结果，就得到具有按一个方向对齐的结晶生长方向及具有无晶界的高品质结晶性硅膜。利用此形成的结晶性硅膜，可在整个基片上有效地制造出高性能且特性稳定的半导体器件，而无需考虑器件的尺寸。

公开(公告)号：CN1055784C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN95105129.6

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真 ,  前川真司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 半导体器件的制造中，先在有绝缘表面的基片上形成非晶半导体膜，再在膜表面上提供微量的可助长非晶半导体结晶化的催化元素。进而加热处理，使催化元素均匀扩散至膜中，由此使膜多结晶化。利用得到的结晶性半导体膜作为有源区，形成薄膜晶体管等半导体器件。采用下述方法掺入催化元素；形成含微量催化元素的膜；多次旋转涂覆含催化元素的溶液；经缓冲层使催化元素扩散；使其浸泡在含催化元素的溶液中；形成含催化元素的镀层。