公开(公告)号：CN1132928A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95121865.4

申请日：1995-11-22

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  宫本忠芳 ,  澁谷司 ,  前川真司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明的半导体器件包括：具有绝缘表面的衬底和设置在衬底的绝缘表面上的元件区。横向晶化区构成元件区，而横向晶化区是通过热处理，使非晶硅膜从带状晶化区向围绕该带状晶化区的区结晶来实现的，而该带状晶化区是通过选择地引入非晶硅膜的催化元素而促使其晶化的，横向晶化区和带状晶化区中的至少一个的催化元素的浓度，是利用具有带状平面图形的引入设定区的带宽来控制的。

公开(公告)号：CN1055784C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN95105129.6

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真 ,  前川真司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 半导体器件的制造中，先在有绝缘表面的基片上形成非晶半导体膜，再在膜表面上提供微量的可助长非晶半导体结晶化的催化元素。进而加热处理，使催化元素均匀扩散至膜中，由此使膜多结晶化。利用得到的结晶性半导体膜作为有源区，形成薄膜晶体管等半导体器件。采用下述方法掺入催化元素；形成含微量催化元素的膜；多次旋转涂覆含催化元素的溶液；经缓冲层使催化元素扩散；使其浸泡在含催化元素的溶液中；形成含催化元素的镀层。

公开(公告)号：CN1051640C

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN95121865.4

申请日：1995-11-22

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  宫本忠芳 ,  渋谷司 ,  前川真司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明的半导体器件包括：具有绝缘表面的衬底和设置在衬底的绝缘表面上的元件区。横向晶化区构成元件区，而横向晶化区是通过热处理，使非晶硅膜从带状晶化区向围绕该带状晶化区的区结晶来实现的，而该带状晶化区是通过选择地引入非晶硅膜的催化元素而促使其晶化的，横向晶化区和带状晶化区中的至少一个的催化元素的浓度，是利用具有带状平面图形的引入设定区的带宽来控制的。

公开(公告)号：CN1132927A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95105129.6

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真 ,  前川真司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 半导体器件的制造中，先在有绝缘表面的基片上形成非晶半导体膜，再在膜表面上提供微量的可助长非晶半导体结晶化的催化元素。进而加热处理，使催化元素均匀扩散至膜中，由此使膜多结晶化。利用得到的结晶性半导体膜作为有源区，形成薄膜晶体管等半导体器件。采用下述方法掺入催化元素：形成含微量催化元素的膜；多次旋转涂覆含催化元素的溶液；经缓冲层使催化元素扩散；使其浸泡在含催化元素的溶液中；形成含催化元素的镀层。