公开(公告)号：CN1112287A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN94120769.2

申请日：1994-12-20

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  山元良高 ,  三谷康弘 ,  野村克己 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 将促进晶化的催化元素导入非晶硅膜中，在将已导入催化元素的非晶硅膜刻成图形后，进行晶化热处理。于是，该导入的催化元素只能有效地在岛状非晶硅膜内扩散。其结果，就得到具有按一个方向对齐的结晶生长方向及具有无晶界的高品质结晶性硅膜。利用此形成的结晶性硅膜，可在整个基片上有效地制造出高性能且特性稳定的半导体器件，而无需考虑器件的尺寸。

公开(公告)号：CN1052567C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN94120769.2

申请日：1994-12-20

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  山元良高 ,  三谷康弘 ,  野村克己 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 将促进晶化的催化元素导入非晶硅膜中。在将已导入催化元素的非晶硅膜刻成图形后，进行晶化热处理。于是，该导入的催化元素只能有效地在岛状非晶硅膜内扩散。其结果，就得到具有按一个方向对齐的结晶生长方向及具有无晶界的高品质结晶性硅膜。利用此形成的结晶性硅膜，可在整个基片上有效地制造出高性能且特性稳定的半导体器件，而无需考虑器件的尺寸。