公开(公告)号：CN1120739A

公开(公告)日：1996-04-17

申请号：CN95109227.8

申请日：1995-08-04

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  宫本忠芳

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S438/975

Abstract: 本发明的半导体器件包含：一具有绝缘性表面的基板及形成于基板的绝缘表面而由具有结晶硅膜所构成的有源区域。该有源区域形成于将非晶硅膜选择性地结晶化而得的结晶硅区域内，利用非晶硅膜的非晶硅区域与结晶硅区域的边界进行掩模对准以决定位置而形成。

公开(公告)号：CN1132928A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95121865.4

申请日：1995-11-22

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  宫本忠芳 ,  澁谷司 ,  前川真司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明的半导体器件包括：具有绝缘表面的衬底和设置在衬底的绝缘表面上的元件区。横向晶化区构成元件区，而横向晶化区是通过热处理，使非晶硅膜从带状晶化区向围绕该带状晶化区的区结晶来实现的，而该带状晶化区是通过选择地引入非晶硅膜的催化元素而促使其晶化的，横向晶化区和带状晶化区中的至少一个的催化元素的浓度，是利用具有带状平面图形的引入设定区的带宽来控制的。

公开(公告)号：CN1112287A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN94120769.2

申请日：1994-12-20

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  山元良高 ,  三谷康弘 ,  野村克己 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 将促进晶化的催化元素导入非晶硅膜中，在将已导入催化元素的非晶硅膜刻成图形后，进行晶化热处理。于是，该导入的催化元素只能有效地在岛状非晶硅膜内扩散。其结果，就得到具有按一个方向对齐的结晶生长方向及具有无晶界的高品质结晶性硅膜。利用此形成的结晶性硅膜，可在整个基片上有效地制造出高性能且特性稳定的半导体器件，而无需考虑器件的尺寸。

公开(公告)号：CN1055784C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN95105129.6

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真 ,  前川真司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 半导体器件的制造中，先在有绝缘表面的基片上形成非晶半导体膜，再在膜表面上提供微量的可助长非晶半导体结晶化的催化元素。进而加热处理，使催化元素均匀扩散至膜中，由此使膜多结晶化。利用得到的结晶性半导体膜作为有源区，形成薄膜晶体管等半导体器件。采用下述方法掺入催化元素；形成含微量催化元素的膜；多次旋转涂覆含催化元素的溶液；经缓冲层使催化元素扩散；使其浸泡在含催化元素的溶液中；形成含催化元素的镀层。

公开(公告)号：CN1052567C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN94120769.2

申请日：1994-12-20

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  山元良高 ,  三谷康弘 ,  野村克己 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 将促进晶化的催化元素导入非晶硅膜中。在将已导入催化元素的非晶硅膜刻成图形后，进行晶化热处理。于是，该导入的催化元素只能有效地在岛状非晶硅膜内扩散。其结果，就得到具有按一个方向对齐的结晶生长方向及具有无晶界的高品质结晶性硅膜。利用此形成的结晶性硅膜，可在整个基片上有效地制造出高性能且特性稳定的半导体器件，而无需考虑器件的尺寸。

公开(公告)号：CN1051640C

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN95121865.4

申请日：1995-11-22

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  宫本忠芳 ,  渋谷司 ,  前川真司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明的半导体器件包括：具有绝缘表面的衬底和设置在衬底的绝缘表面上的元件区。横向晶化区构成元件区，而横向晶化区是通过热处理，使非晶硅膜从带状晶化区向围绕该带状晶化区的区结晶来实现的，而该带状晶化区是通过选择地引入非晶硅膜的催化元素而促使其晶化的，横向晶化区和带状晶化区中的至少一个的催化元素的浓度，是利用具有带状平面图形的引入设定区的带宽来控制的。

公开(公告)号：CN1043103C

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN95109227.8

申请日：1995-08-04

Applicant: 夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  宫本忠芳

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/334

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S438/975

Abstract: 本发明的半导体器件包含：一具有绝缘性表面的基板及形成于基板的绝缘表面而由具有结晶硅膜所构成的有源区域。该有源区域形成于将非晶硅膜选择性地结晶化而得的结晶硅区域内，利用非晶硅膜的非晶硅区域与结晶硅区域的边界进行掩模对准以决定位置而形成。

公开(公告)号：CN1132927A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95105129.6

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  宫本忠芳 ,  香西孝真 ,  前川真司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 半导体器件的制造中，先在有绝缘表面的基片上形成非晶半导体膜，再在膜表面上提供微量的可助长非晶半导体结晶化的催化元素。进而加热处理，使催化元素均匀扩散至膜中，由此使膜多结晶化。利用得到的结晶性半导体膜作为有源区，形成薄膜晶体管等半导体器件。采用下述方法掺入催化元素：形成含微量催化元素的膜；多次旋转涂覆含催化元素的溶液；经缓冲层使催化元素扩散；使其浸泡在含催化元素的溶液中；形成含催化元素的镀层。