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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1208660C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02110871.4
申请日：2002-02-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态，利用缺陷态之间的相互耦合，使得器件的透射频谱加宽，满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1367397A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN02110871.4
申请日：2002-02-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属光通讯技术领域,具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论,研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系,缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态,利用缺陷态之间的相互耦合,使得器件的透射频谱加宽,满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容,具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1349115A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01132293.4
申请日：2001-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大,消光比低,所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系,然后引入缺陷层,再调节缺陷层的参数,使得不同偏振态光的缺陷态对应的波长不同。本发明设计的平面波导偏振器可以是在硅衬底上用两套全同的多晶Si/非晶SiO2多层膜夹一层非晶SiO2芯层,利用不同偏振态的光对波导的透射率的显著不同而使自然光在经过很短的传输距离后就可获得很高的消光比,并且传输损耗很小。理论分析和实验结果都证明此种光波导偏振器不仅制备简单,能与硅平面集成工艺兼容,而且具有良好的传输特性和高的消光比。
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公开(公告)号：CN1157617C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01132293.4
申请日：2001-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大，消光比低，所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系，然后引入缺陷层，再调节缺陷层的参数，使得不同偏振态光的缺陷态对应的波长不同。本发明设计的平面波导偏振器可以是在硅衬底上用两套全同的多晶Si/非晶SiO2多层膜夹一层非晶SiO2芯层，利用不同偏振态的光对波导的透射率的显著不同而使自然光在经过很短的传输距离后就可获得很高的消光比，并且传输损耗很小。理论分析和实验结果都证明此种光波导偏振器不仅制备简单，能与硅平面集成工艺兼容，而且具有良好的传输特性和高的消光比。
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公开(公告)号：CN2591654Y
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN02215812.X
申请日：2002-02-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器。本实用新型根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本实用新型所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态，利用缺陷态之间的相互耦合，使得器件的透射频谱加宽，满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容，具有良好的应用前景。
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