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公开(公告)号：CN119170639A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411294365.X
申请日：2024-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种自集成反向续流晶体管结构的碳化硅功率器件及其制备方法。该功率器件包括碳化硅衬底，N型漂移层，N型载流子存储层和P型基区，N+源区和P+欧姆接触区；栅极沟槽，贯穿N+源区，P型基区和N型载流子存储层；续流晶体管，包括续流晶体管的P型基区；续流晶体管的漏极N+区域，形成在续流晶体管的P型基区上部的中央区域；续流晶体管的栅氧层和续流晶体管的栅极，形成在栅极沟槽中，与续流晶体管的漏极N+区域相短接；功率器件的栅极，形成在续流晶体管的栅极的上方，且彼此隔离；顶层隔离层，覆盖栅极沟槽；钝化层，形成于器件顶部的两侧；源极欧姆接触，覆盖器件表面，其中，当器件工作在第三象限时，续流晶体管开启，实现反向续流。
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